一种单晶硅生长方法、生长设备及计算机存储介质与流程

本发明属于单晶生产，涉及一种单晶硅生长方法、生长设备及计算机存储介质。

背景技术：

1、随着半导体芯片工艺的快速进展，器件的最小线宽越来越小，对抛光硅片的本质缺陷大小与浓度的要求也来越严格。传统的低密度缺陷(low cop)抛光硅片，已经无法满足最小线宽30nm以下的先进半导体工艺。

2、加热器及导流筒作为单晶生长时的关键热场部件，其对v/g(v是晶体生长速度，g是晶体生长界面的轴向温度梯度)的影响非常大，同时v/g是决定其原生缺陷种类及其浓度的一个衡量指标，传统改善方法着重于对单一量进行更改，但却忽略了两者之间相对位置的关系，其相对位置关系在拉制无缺陷晶体的过程中具有重要作用。

技术实现思路

1、为解决上述存在的技术问题，本发明提供了一种单晶硅生长方法、生长设备及计算机存储介质，在单晶生长阶段，通过调整导流筒下沿与加热器顶部的垂直距离，对单晶拉制时的v/g进行调控，从而解决单晶缺陷问题，最终提高产品质量。

2、本发明采用的技术方案是：一种单晶硅生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

3、在单晶生长阶段，通过调控导流筒与加热器之间的相对位置，以使v/g满足预设值。

4、进一步的，调节所述相对位置的具体步骤包括：

5、(1)将所述加热器置于第一位置后，驱动所述导流筒向下位移，以使v/g满足预设值，此时所述导流筒的下沿与所述第一位置之间的垂直距离为第一高度；

6、(2)固定所述导流筒，驱动所述加热器向下位移至第二位置，此时所述导流筒的下沿与所述第二位置之间的垂直距离为第二高度。

7、进一步的，所述预设值为0.0013～0.00135cm2/min/k。

8、进一步的，所述第一位置为所述加热器的上沿与石英坩埚的内壁上沿齐平。

9、进一步的，所述第一位置距离所述第二位置的距离为30～60mm。

10、进一步的，所述第一高度为0～120mm。

11、进一步的，所述第一高度为110～120mm。

12、进一步的，所述第二高度为50～80mm。

13、一种单晶生长设备，其特征在于：包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行计数机程序或指令，以实现如上所述的单晶硅生长方法。

14、一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现如上所述的单晶硅生长方法。

15、本发明涉及的一种单晶硅生长方法，在该方法中，在单晶生长阶段，通过调节导流筒下沿与加热器顶部的垂直距离△h，进而使得单晶拉制时的v/g在合理范围内，以此来减少单晶缺陷，提高产品品质。

技术特征：

1.一种单晶硅生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的单晶硅生长方法，其特征在于：调节所述相对位置的具体步骤包括：

3.根据权利要求2所述的单晶硅生长方法，其特征在于：所述预设值为0.0013～0.00135cm2/min/k。

4.根据权利要求2所述的单晶硅生长方法，其特征在于：所述第一位置为所述加热器的上沿与石英坩埚的内壁上沿齐平。

5.根据权利要求4所述的单晶硅生长方法，其特征在于：所述第一位置距离所述第二位置的距离为30～60mm。

6.根据权利要求2所述的单晶硅生长方法，其特征在于：所述第一高度为0～120mm。

7.根据权利要求6所述的单晶硅生长方法，其特征在于：所述第一高度为110～120mm。

8.根据权利要求2所述的单晶硅生长方法，其特征在于：所述第二高度为50～80mm。

9.一种单晶生长设备，其特征在于：包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行计数机程序或指令，以实现权利要求1-8任一项所述的单晶硅生长方法。

10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现权利要求1～8任一项所述的单晶硅生长方法。

技术总结
本发明属于单晶生产技术领域，涉及一种单晶硅生长方法，包括如下步骤：在单晶生长阶段，通过调控导流筒与加热器之间的相对位置，以使V/G满足预设值。本发明的有益效果是，通过调整导流筒下沿与加热器顶部之间的垂直距离，对单晶拉制时的V/G进行调控，从而解决单晶缺陷问题，实现产品质量的提高。

技术研发人员：薛子轩,娄中士,李鹏飞,袁长宏,李振,贾海洋,张强,王淼,周宏邦
受保护的技术使用者：内蒙古中环领先半导体材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16