一种颗粒硅产品筛选除磁装置的制作方法

本技术属于颗粒硅生产领域，具体涉及一种颗粒硅产品筛选除磁装置。

背景技术：

1、在颗粒硅工序中，硅烷气进入流化床后经过高温600℃--1000℃，硅烷气分解为硅和氢气，硅会富集在投入的晶种上，生长为一定尺寸的颗粒排入产品收集器中作为产品销售。硅烷气在600℃--1000℃分解后，硅会在晶种上富集，生长到一定尺寸的颗粒排入产品收集罐中，在工艺控制过程中，各种不稳定因素会导致颗粒硅的生长尺寸大小不一、形状不规整、在设备检修时，会有磁性物质进入设备中，生产时造成磁性物质污染产品。

技术实现思路

1、实用新型目的：本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种筛选除磁装置，实现自动分选不同粒径颗粒硅、形状不规整的硅块、去除因检修带入的磁性物质。

2、为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案如下：

3、一种颗粒硅产品筛选除磁装置，包括箱体以及设置在箱体内的筛板和电磁铁；所述箱体设置在流化床下料口的底部，箱体的下方设置有颗粒硅下料口。

4、具体地，所述箱体的顶部位于流化床下料口处，对称设置两块倾斜的第一筛板；所述箱体的两侧位于第一筛板板面底部，开有与不规则硅块排出管连通的排料窗口。

5、优选地，所述的第一筛板的筛孔直径为5mm，第一筛板下方连接所述箱体，落料至箱体内。

6、优选地，所述的第一筛板向下倾斜的角度为15°～45°。

7、进一步地，所述的第一筛板的底部设置有一组振荡器。

8、更进一步地，所述的第一筛板下方，还竖向设置有两块第二筛板；两块所述的第二筛板之间安装有电磁铁。

9、优选地，所述的第二筛板上的筛板孔向下倾斜45°，所述第二筛板的筛孔直径大于第一筛板的筛孔直径。

10、进一步地，所述的电磁铁的表面涂覆有涂聚氨酯层。

11、进一步地，所述箱体底部设置为斜面，该斜面位于第一筛板下方和第二筛板间，箱体底部斜面倾斜角度为45°。

12、进一步地，所述的不规则硅块排出管为向下倾斜的下料管，底部下料口与硅块吨袋连接。

13、有益效果：

14、本装置能够实现自动分选不同粒径颗粒硅、形状不规整的硅块、去除因检修带入的磁性物质。通过该装置，颗粒硅产品经初步筛分，将不规则和比较大的金属硅块与颗粒硅分离，再将颗粒硅中磁性物质去除，能够使产品品质上升。

技术特征：

1.一种颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，包括箱体(1-6)以及设置在箱体(1-6)内的筛板和电磁铁；所述箱体(1-6)设置在流化床下料口(1-1)的底部，箱体(1-6)的下方设置有颗粒硅下料口(1-8)。

2.根据权利要求1所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述箱体(1-6)的顶部位于流化床下料口(1-1)处，对称设置两块倾斜的第一筛板(1-3)；所述箱体(1-6)的两侧位于第一筛板(1-3)板面底部，开有与不规则硅块排出管(1-2)连通的排料窗口。

3.根据权利要求2所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的第一筛板(1-3)的筛孔直径为5mm，所述第一筛板(1-3)下方连接所述箱体(1-6)。

4.根据权利要求2所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的第一筛板(1-3)向下倾斜的角度为15°～45°。

5.根据权利要求2所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的第一筛板(1-3)的底部设置有一组振荡器(1-5)。

6.根据权利要求3所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的第一筛板(1-3)下方，还竖向设置有两块第二筛板(1-4)；两块所述第二筛板(1-4)之间安装有电磁铁(1-7)。

7.根据权利要求6所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的第二筛板(1-4)上的筛板孔向下倾斜45°，所述第二筛板(1-4)的筛孔直径大于第一筛板(1-3)的筛孔直径。

8.根据权利要求6所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的电磁铁(1-7)的表面涂覆有涂聚氨酯层。

9.根据权利要求6所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述箱体(1-6)底部设置为斜面，该斜面位于第一筛板(1-3)下方和第二筛板(1-4)间，所述箱体(1-6)底部斜面倾斜角度为45°。

10.根据权利要求2所述的颗粒硅产品筛选除磁装置，其特征在于，所述的不规则硅块排出管(1-2)为向下倾斜的下料管，底部下料口与硅块吨袋连接。

技术总结
本技术公开了一种颗粒硅产品筛选除磁装置，包括箱体以及设置在箱体内的筛板和电磁铁；所述箱体设置在流化床下料口的底部，箱体的下方设置有颗粒硅下料口。本装置能够实现自动分选不同粒径颗粒硅、形状不规整的硅块、去除因检修带入的磁性物质。通过该装置，颗粒硅产品经初步筛分，将不规则和比较大的金属硅块与颗粒硅分离，再将颗粒硅中磁性物质去除，能够使产品品质上升。

技术研发人员：常青青,陶睿,徐永强,李国伟,韩佳丽,李咸江,乔长喜
受保护的技术使用者：内蒙古鑫元硅材料科技有限公司
技术研发日：20230811
技术公布日：2024/3/21