一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法与流程

本发明属于显示面板的制造，具体是指一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法。

背景技术：

1、现有已开发并应用于显示面板的阵列基板制造工艺，通常由多层金属层，无机非金属层以及透明电极层组合而成，不同膜层的堆叠顺序变化以及讯号走线设计多样化，会衍生出多种不同架构设计的显示驱动面板。例如需要10道mask制程的follow mid-com tic显示驱动面板，9道mask制程的followtop-comtic显示驱动面板等等，不同的显示面板其对应的显示功能及产品规格会有所不同。

2、igzotft在实际工业生产过程中采用传统的底栅结构，涉及的膜层结构常见的从下往上分别是栅极、绝缘层(siox)、igzo、源漏极、钝化层(siox)、公共电极、像素sinx、像素电极等等。不同膜质绝缘层结构，siox和sinx在过孔刻蚀过程中易出现过孔形貌异常，导致过孔连接异常无法导通，出现大比例的过孔相关不良。

3、现有技术的9道mask制程的followmid-comtic显示驱动面板制备方法如下：

4、第一步：采用pvd方式在玻璃基板-1上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层-2，该金属层可选用mo/al/mo；(第一道mask)

5、第二步：采用cvd方式沉积一层第一绝缘层-3，为栅极绝缘层，该绝缘层可选用siox；

6、第三步：采用pvd方式沉积一层有源层-4，并进行图案化，此有源层可选igzo；(第二道mask)

7、第四步：采用cvd方式沉积一层第二绝缘层-5，为刻蚀阻挡层，该阻挡层可选用siox；

8、第五步：对第二绝缘层进行开孔-第一过孔a1，以使第二金属层与栅极金属层-2相连接；(第三道mask)

9、第六步：采用pvd方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层-61，触控金属层-62，该金属层可选用mo/al/mo；(第四道mask)

10、第七步：采用cvd方式沉积一层第三绝缘层-7，为钝化绝缘层，该绝缘层可选用siox；

11、第八步：涂布一层有机光阻-8，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔-第二过孔a21、a22；(第五道mask)

12、第二过孔a21：用于像素电极与源漏极相连接；

13、第二过孔a22：用于公共电极与触控电极连接；

14、第九步：采用第三绝缘层的光罩进行开孔-第三过孔a31；(第六道mask)

15、第三过孔a31：用于像素电极与源漏极相连接；

16、注：现有设计此处仅开第三过孔a31；

17、第十步：采用pvd方式沉积第一透明电极层-9，并进行图案化，此电极层作为像素电极，可选用ito；(第七道mask)

18、第十一步：采用cvd方式沉积一层第四绝缘层-10，并进行图案化开孔-第四过孔，该层绝缘层在面内主要作用为作为像素电容，该绝缘层可选用sinx；(第八道mask)

19、第十二步：采用pvd方式沉积第二透明电极层-11，并进行图案化，此电极层作为公共电极，可选用ito。(第九道mask)

20、依据现有的制程数据以及理论表明，过孔蚀刻的膜层深度往往会有多层，如像素电极与源漏极连接需要干蚀刻开孔，其需经过三个无机绝缘层，siox/siox/sinx，其中sinx为top膜层，往往作为像素电容。干蚀刻气体cf4与sinx反应过程中，生成的中间产物容易附着在下层siox膜层表面，以此阻碍了cf4气体对siox的刻蚀作用，这种现象往往呈现为孔内出现柱状残留物，如图2和图3所示。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，有效避免了蚀刻残留而导致的过孔接触不良的现象发生。

2、本发明是这样实现的：

3、一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，包括如下步骤：

4、第一步：采用pvd方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；

5、第二步：采用cvd方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；

6、第三步：采用pvd方式沉积一层有源层，并进行图案化；

7、第四步：采用cvd方式沉积一层第二绝缘层，为刻蚀阻挡层；

8、第五步：对第二绝缘层进行开孔-第一过孔，以使第二金属层与第一金属层相连接；

9、第六步：采用pvd方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层和触控金属层；

10、第七步：采用cvd方式沉积一层第三绝缘层，为钝化绝缘层；

11、第八步：涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔-第二过孔之一和第二过孔之二；第二过孔之一：用于像素电极与源漏极相连接；第二过孔之二：用于公共电极与触控电极连接；

12、第九步：采用第三绝缘层的光罩进行开孔，第三过孔之一和第三过孔之二；第三过孔之一：用于像素电极与源漏极相连接；第三过孔之二：用于公共电极与触控电极连接；

13、第十步：采用pvd方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此电极层作为像素电极；

14、第十一步：同样采用pvd方式在第二过孔之二处沉积一层辅助透明电极层，厚度100～300a，并共用第四绝缘层光罩+负型光阻，进行图案化，保留住第四过孔位置的辅助透明电极层；

15、第十二步：采用cvd方式沉积一层第四绝缘层，并进行图案化开孔-第四过孔，该层绝缘层在面内作为像素电容；

16、第十三步：经湿蚀刻后未被退火过的辅助透明电极层，在没有光阻保护的情况下被蚀刻完毕，随后继续进行第四过孔的干蚀刻制程；

17、第十四步：进行剥膜制程，去除光阻pr；

18、第十五步：采用pvd方式沉积第二透明电极层，并进行图案化，此电极层作为公共电极。

19、进一步地，所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，选用mo/al/mo。

20、进一步地，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，选用siox。

21、进一步地，所述有源层，选用igzo。

22、进一步地，所述第四绝缘层，选用sinx。

23、进一步地，所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述辅助透电极层，选用ito。

24、本发明的优点在于：本发明在基于9道mask制程followtop-comtic显示驱动设计原理情况下，在不增加光罩成本情况下，优化工艺，共用第四绝缘层光罩+负型光阻特性，过孔干蚀刻sinx时反应产物残留在所保留部分ito上，经过干蚀刻/草酸湿蚀刻/干蚀刻三次蚀刻后，有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。

技术特征：

1.一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，选用mo/al/mo。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，选用siox。

4.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述有源层，选用igzo。

5.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第四绝缘层，选用sinx。

6.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述辅助透电极层，选用ito。

技术总结
一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，包括：在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔，采用第三绝缘层的光罩进行开孔，沉积第一透明电极层，在开孔处沉积一层辅助透明电极层，并共用第四绝缘层光罩+负型光阻，进行图案化，保留住第四过孔位置的辅助透明电极层；经湿蚀刻后未被退火过的辅助透明电极层，在没有光阻保护的情况下被蚀刻完毕，继续进行第四过孔的干蚀刻制程。本发明共用第四绝缘层光罩+负型光阻特性，过孔干蚀刻SiNx时反应产物残留在所保留部分ITO上，经过三次蚀刻后，有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。

技术研发人员：陈伟,陈鑫
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17