一种激光器芯片的封装结构的制作方法

文档序号:37372950 发布日期:2024-03-22 10:25 阅读:8 来源:国知局
一种激光器芯片的封装结构的制作方法

本技术涉及光通信,特别涉及一种激光器芯片的封装结构。


背景技术:

1、高清2020欧洲杯投注官网 4k、直播、vr、云计算、物联网等新应用推动了网络流量快速增长,也对数据中心内部数据传输提出更高要求,此所有需求都推动了100g光模块市场的持续发展,下一步数据中心光模块将向着200g、400g等更高速率的方向发展。但是高速光模块需要的激光器芯片都需要先封装成coc(chip on carrier,芯片贴装在载体上)才能使用,特别是50g和100g的激光器芯片,coc及其陶瓷薄膜电路的高频设计,直接影响激光器的带宽和眼图。

2、现有薄膜陶瓷电路的高频线为从头到尾宽度相等的一条线,其宽度和薄膜金属层的厚度由需要达到的阻抗来决定。在激光器芯片和薄膜陶瓷电路之间、激光器芯片和高频线之间以及高频线的尾端和光模块pcb之间均需要金线电连接,因此会形成阻抗不连续点,造成整个激光器芯片的封装结构的带宽降低。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种激光器芯片的封装结构,该激光器芯片的封装结构能够缩小阻抗不连续点带来的影响,提高了整个激光器芯片的封装结构的带宽。

2、本实用新型通过以下技术方案实现:

3、一种激光器芯片的封装结构,包括薄膜陶瓷电路和激光器芯片,所述薄膜陶瓷电路和激光器芯片通过金线电连接,所述薄膜陶瓷电路上集成有高频线,所述高频线包括本体部、第一拓宽部和第二拓宽部,所述本体部一端和所述第一拓宽部连接、另一端和所述第二拓宽部连接,所述第一拓宽部通过金线和所述激光器芯片电连接,所述第二拓宽部通过金线电连接有光模块pcb板。

4、进一步的,所述第一拓宽部的宽度一大于所述本体部的宽度。

5、进一步的,所述第二拓宽部的宽度二大于所述本体部的宽度。

6、进一步的,所述本体部的宽度均匀。

7、进一步的,所述薄膜陶瓷电路上具有薄膜电阻,所述激光器芯片通过金线与所述薄膜电阻电连接。

8、进一步的,所述金线的直径为25.4μm。

9、进一步的,所述第一拓宽部和第二拓宽部的形状一致。

10、进一步的,所述高频线还包括第一过渡部,所述第一过渡部一端和所述本体部连接、另一端和所述第一拓宽部连接。

11、进一步的,所述高频线还包括第二过渡部,所述第二过渡部一端和所述本体部连接、另一端和所述第二拓宽部连接。

12、相比于现有技术,本实用新型的优点在于:

13、1、通过调整高频线首段和尾端的形状和宽度,增加金线电连接点的容性,来达到缩小阻抗不连续,提高薄膜陶瓷电路带宽的目的,进而提高了整个激光器芯片的封装结构的带宽。



技术特征:

1.一种激光器芯片的封装结构,其特征在于,包括薄膜陶瓷电路(1)和激光器芯片(2),所述薄膜陶瓷电路(1)和激光器芯片(2)通过金线(4)电连接,所述薄膜陶瓷电路(1)上集成有高频线(3),所述高频线(3)包括本体部(30)、第一拓宽部(31)和第二拓宽部(32),所述本体部(30)一端和所述第一拓宽部(31)连接、另一端和所述第二拓宽部(32)连接,所述第一拓宽部(31)通过金线(4)和所述激光器芯片(2)电连接,所述第二拓宽部(32)通过金线(4)电连接有光模块pcb板(5)。

2.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述第一拓宽部(31)的宽度一(d1)大于所述本体部(30)的宽度(d)。

3.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述第二拓宽部(32)的宽度二(d2)大于所述本体部(30)的宽度(d)。

4.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述本体部(30)的宽度(d)均匀。

5.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述薄膜陶瓷电路(1)上具有薄膜电阻(10),所述激光器芯片(2)通过金线(4)与所述薄膜电阻(10)电连接。

6.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述金线(4)的直径为25.4μm。

7.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述第一拓宽部(31)和第二拓宽部(32)的形状一致。

8.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述高频线(3)还包括第一过渡部(33),所述第一过渡部(33)一端和所述本体部(30)连接、另一端和所述第一拓宽部(31)连接。

9.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述高频线(3)还包括第二过渡部(34),所述第二过渡部(34)一端和所述本体部(30)连接、另一端和所述第二拓宽部(32)连接。


技术总结
本技术公开了一种激光器芯片的封装结构,包括薄膜陶瓷电路和激光器芯片,所述薄膜陶瓷电路和激光器芯片通过金线电连接,所述薄膜陶瓷电路上集成有高频线,所述高频线包括本体部、第一拓宽部和第二拓宽部,所述本体部一端和所述第一拓宽部连接、另一端和所述第二拓宽部连接,所述第一拓宽部通过金线和所述激光器芯片电连接,所述第二拓宽部通过金线电连接有光模块PCB板。本技术提供的激光器芯片的封装结构能够缩小阻抗不连续点带来的影响,提高了整个激光器芯片的封装结构的带宽。

技术研发人员:王果果,赵天宇
受保护的技术使用者:苏州芯创连光电科技有限公司
技术研发日:20230816
技术公布日:2024/3/21
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