本技术涉及光通信,特别涉及一种激光器芯片的封装结构。
背景技术:
1、高清2020欧洲杯投注官网 4k、直播、vr、云计算、物联网等新应用推动了网络流量快速增长,也对数据中心内部数据传输提出更高要求,此所有需求都推动了100g光模块市场的持续发展,下一步数据中心光模块将向着200g、400g等更高速率的方向发展。但是高速光模块需要的激光器芯片都需要先封装成coc(chip on carrier,芯片贴装在载体上)才能使用,特别是50g和100g的激光器芯片,coc及其陶瓷薄膜电路的高频设计,直接影响激光器的带宽和眼图。
2、现有薄膜陶瓷电路的高频线为从头到尾宽度相等的一条线,其宽度和薄膜金属层的厚度由需要达到的阻抗来决定。在激光器芯片和薄膜陶瓷电路之间、激光器芯片和高频线之间以及高频线的尾端和光模块pcb之间均需要金线电连接,因此会形成阻抗不连续点,造成整个激光器芯片的封装结构的带宽降低。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种激光器芯片的封装结构,该激光器芯片的封装结构能够缩小阻抗不连续点带来的影响,提高了整个激光器芯片的封装结构的带宽。
2、本实用新型通过以下技术方案实现:
3、一种激光器芯片的封装结构,包括薄膜陶瓷电路和激光器芯片,所述薄膜陶瓷电路和激光器芯片通过金线电连接,所述薄膜陶瓷电路上集成有高频线,所述高频线包括本体部、第一拓宽部和第二拓宽部,所述本体部一端和所述第一拓宽部连接、另一端和所述第二拓宽部连接,所述第一拓宽部通过金线和所述激光器芯片电连接,所述第二拓宽部通过金线电连接有光模块pcb板。
4、进一步的,所述第一拓宽部的宽度一大于所述本体部的宽度。
5、进一步的,所述第二拓宽部的宽度二大于所述本体部的宽度。
6、进一步的,所述本体部的宽度均匀。
7、进一步的,所述薄膜陶瓷电路上具有薄膜电阻,所述激光器芯片通过金线与所述薄膜电阻电连接。
8、进一步的,所述金线的直径为25.4μm。
9、进一步的,所述第一拓宽部和第二拓宽部的形状一致。
10、进一步的,所述高频线还包括第一过渡部,所述第一过渡部一端和所述本体部连接、另一端和所述第一拓宽部连接。
11、进一步的,所述高频线还包括第二过渡部,所述第二过渡部一端和所述本体部连接、另一端和所述第二拓宽部连接。
12、相比于现有技术,本实用新型的优点在于:
13、1、通过调整高频线首段和尾端的形状和宽度,增加金线电连接点的容性,来达到缩小阻抗不连续,提高薄膜陶瓷电路带宽的目的,进而提高了整个激光器芯片的封装结构的带宽。
1.一种激光器芯片的封装结构,其特征在于,包括薄膜陶瓷电路(1)和激光器芯片(2),所述薄膜陶瓷电路(1)和激光器芯片(2)通过金线(4)电连接,所述薄膜陶瓷电路(1)上集成有高频线(3),所述高频线(3)包括本体部(30)、第一拓宽部(31)和第二拓宽部(32),所述本体部(30)一端和所述第一拓宽部(31)连接、另一端和所述第二拓宽部(32)连接,所述第一拓宽部(31)通过金线(4)和所述激光器芯片(2)电连接,所述第二拓宽部(32)通过金线(4)电连接有光模块pcb板(5)。
2.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述第一拓宽部(31)的宽度一(d1)大于所述本体部(30)的宽度(d)。
3.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述第二拓宽部(32)的宽度二(d2)大于所述本体部(30)的宽度(d)。
4.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述本体部(30)的宽度(d)均匀。
5.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述薄膜陶瓷电路(1)上具有薄膜电阻(10),所述激光器芯片(2)通过金线(4)与所述薄膜电阻(10)电连接。
6.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述金线(4)的直径为25.4μm。
7.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述第一拓宽部(31)和第二拓宽部(32)的形状一致。
8.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述高频线(3)还包括第一过渡部(33),所述第一过渡部(33)一端和所述本体部(30)连接、另一端和所述第一拓宽部(31)连接。
9.根据权利要求1所述的激光器芯片的封装结构,其特征在于,所述高频线(3)还包括第二过渡部(34),所述第二过渡部(34)一端和所述本体部(30)连接、另一端和所述第二拓宽部(32)连接。