技术编号：11235543
提示：您尚未登录，请点 登 陆后下载，如果您还没有账户请点 注 册，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及布局设计系统、使用该布局设计系统的半导体器件及其制造方法。背景技术用于增加半导体器件的密度的按比例缩放技术之一使用多栅晶体管，其中鳍形状或者纳米线形状的硅主体形成在基板上，然后栅极形成在硅主体的表面上。多栅晶体管的使用允许容易的按比例缩放，因为它们包括三维沟道。此外，对于多栅晶体管，电流控制能力可以提高而不需要增加栅极长度。另外，有效地抑制短沟道效应(SCE)是可能的，其中短沟道效应是沟道区的电势受漏极电压影响的现象。发明内容本公开的一个技术目的是提供一种具有改善的操作特性的半导体器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。