技术编号：37370780
提示：您尚未登录，请点 登 陆后下载，如果您还没有账户请点 注 册，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子化学品领域，属于电子化学品。背景技术、半导体器件对污染极端敏感，而二氧化硅在防止硅器件被污染方面起了重要作用。一是保护器件的表面及内部，在表面形成的二氧化硅密度非常高(无孔)，非常硬，能防止环境中脏物质侵入敏感的晶圆表面，它的硬度可防止晶圆表面在制造过程中被划伤及增强晶圆在生产流程过程中的耐用性；二是，工艺过程中的一些电特性活跃的污染物在二氧化硅表面形成，使得硅器件远离电子活性表面。、二氧化硅还用作掺杂的阻挡层。在硅技术里用到的所有掺杂物，其在二氧化硅里的运行速度低于在硅中的运...
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