本揭示内容是关于一种成像镜头与相机模块,且特别是一种应用在可携式电子装置上的成像镜头与相机模块。
背景技术:
1、近年来,可携式电子装置发展快速,例如智能电子装置、平板电脑等,已充斥在现代人的生活中,而装载在可携式电子装置上的相机模块与其成像镜头也随之蓬勃发展。但随着科技愈来愈进步,使用者对于成像镜头的品质要求也愈来愈高。因此,发展一种可减少反射光产生以保持成像画面清晰的成像镜头遂成为产业上重要且急欲解决的问题。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种成像镜头、相机模块及电子装置,通过设置遮光结构以减少反射光产生,借以保持成像画面清晰。
2、依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头,其包含多个光学元件与一光路径转折机构,其中一光轴通过光学元件,且光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。光路径转折机构包含至少一光线转折元件、一遮光结构及一纳米结构层。光线转折元件包含一反射面、一入光面及一出光面。反射面用以将光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路。入光面配置于反射面的物侧,且入光光路通过入光面。出光面配置于反射面的像侧,且出光光路通过出光面。遮光结构设置于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者上,且遮光结构包含一主要遮光部,其中主要遮光部位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部。纳米结构层连续分布于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者与遮光结构的主要遮光部上,纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起。遮光结构的主要遮光部环绕光轴定义一通光区域。纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。
3、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中遮光结构可同时设置于光线转折元件的入光面和出光面上。
4、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中主要遮光部的边缘厚度可介于0.4um至50um。
5、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中纳米结构层的平均高度可介于125nm至300nm。另外,纳米结构层的平均高度可介于195nm至255nm。
6、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件可还包含一连接结构层,连接结构层设置于纳米结构层与光线转折元件的入光面和出光面中至少一者之间。
7、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中连接结构层可进一步设置于纳米结构层与遮光结构之间。
8、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的数量可为二,且光路径转折机构用以转折光轴二次。
9、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的反射面可互相平行。
10、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的数量可为三,且光路径转折机构用以转折光轴三次。
11、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的反射面的其中二者可互相垂直。
12、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件可还包含一连接面,连接面连接反射面、入光面及出光面。
13、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件为塑胶光线转折元件。
14、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件为玻璃光线转折元件。
15、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的阿贝数可介于40至65。
16、依据本揭示内容一实施方式提供一种相机模块,包含如前述实施方式的成像镜头。
17、依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置,包含如前述实施方式的相机模块与一电子感光元件,其中电子感光元件设置于相机模块的一成像面。
18、依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头,其包含多个光学元件与一光路径转折机构,其中一光轴通过光学元件,且光路径转折机构配置于光轴上用以转折光轴至少一次。光路径转折机构包含一光线转折元件、一遮光结构及一纳米结构层。光线转折元件包含至少二反射面、一入光面及一出光面。反射面用以将光线转折元件的一入光光路转折至一出光光路。入光面配置于反射面的一者的物侧,且入光光路通过入光面。出光面配置于反射面的另一者的像侧,且出光光路通过出光面。遮光结构设置于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者上,且遮光结构包含一主要遮光部,其中主要遮光部位于通过光轴的一横截面上最靠近光轴的一边缘部。纳米结构层连续分布于光线转折元件的入光面和出光面中至少一者与遮光结构的主要遮光部上,纳米结构层呈现多个不规则脊状凸起。遮光结构的主要遮光部环绕光轴定义一通光区域。纳米结构层的平均高度介于90nm至350nm。
19、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中遮光结构可同时设置于光线转折元件的入光面和出光面上。
20、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中主要遮光部的边缘厚度可介于0.4um至50um。
21、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中纳米结构层的平均高度可介于125nm至300nm。另外,纳米结构层的平均高度可介于195nm至255nm。
22、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件可还包含一连接结构层,连接结构层设置于纳米结构层与光线转折元件的入光面和出光面中至少一者之间。
23、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中连接结构层可进一步设置于纳米结构层与遮光结构之间。
24、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光路径转折机构可用以转折光轴至少四次。
25、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中反射面的数量可为四,且光线转折元件的反射面的二者互相平行。
26、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的反射面的另二者可使光轴于光线转折元件内部全反射。
27、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件可还包含一连接面,连接面连接反射面、入光面及出光面。
28、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的连接面可包含至少一注料痕。
29、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件可还包含一阶差结构。
30、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件为塑胶光线转折元件。
31、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件为玻璃光线转折元件。
32、依据前段所述实施方式的成像镜头,其中光线转折元件的阿贝数可介于40至65。
1.一种成像镜头,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该遮光结构同时设置于该至少一光线转折元件的该入光面和该出光面上。
3.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该主要遮光部的边缘厚度介于0.4um至50um。
4.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该纳米结构层的平均高度介于125nm至300nm。
5.如权利要求4所述的成像镜头,其特征在于,该纳米结构层的平均高度介于195nm至255nm。
6.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件还包含一连接结构层,该连接结构层设置于该纳米结构层与该至少一光线转折元件的该入光面和该出光面中至少该者之间。
7.如权利要求6所述的成像镜头,其特征在于,该连接结构层进一步设置于该纳米结构层与该遮光结构之间。
8.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件的数量为二,且该光路径转折机构用以转折该光轴二次。
9.如权利要求8所述的成像镜头,其特征在于,该二光线转折元件的该二反射面互相平行。
10.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件的数量为三,且该光路径转折机构用以转折该光轴三次。
11.如权利要求10所述的成像镜头,其特征在于,该三光线转折元件的所述多个反射面的其中二者互相垂直。
12.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件还包含一连接面,该连接面连接该反射面、该入光面及该出光面。
13.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件为塑胶光线转折元件。
14.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件为玻璃光线转折元件。
15.如权利要求1所述的成像镜头,其特征在于,该至少一光线转折元件的阿贝数介于40至65。
16.一种相机模块,其特征在于,包含:
17.一种电子装置,其特征在于,包含:
18.一种成像镜头,其特征在于,包含:
19.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该遮光结构同时设置于该光线转折元件的该入光面和该出光面上。
20.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该主要遮光部的边缘厚度介于0.4um至50um。
21.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该纳米结构层的平均高度介于125nm至300nm。
22.如权利要求21所述的成像镜头,其特征在于,该纳米结构层的平均高度介于195nm至255nm。
23.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件还包含一连接结构层,该连接结构层设置于该纳米结构层与该光线转折元件的该入光面和该出光面中至少该者之间。
24.如权利要求23所述的成像镜头,其特征在于,该连接结构层进一步设置于该纳米结构层与该遮光结构之间。
25.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该光路径转折机构用以转折该光轴至少四次。
26.如权利要求25所述的成像镜头,其特征在于,该至少二反射面的数量为四,且该光线转折元件的该四反射面的二者互相平行。
27.如权利要求26所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件的该四反射面的另二者使该光轴于该光线转折元件内部全反射。
28.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件还包含一连接面,该连接面连接该至少二反射面、该入光面及该出光面。
29.如权利要求28所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件的该连接面包含至少一注料痕。
30.如权利要求29所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件还包含一阶差结构。
31.如权利要求30所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件为塑胶光线转折元件。
32.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件为玻璃光线转折元件。
33.如权利要求18所述的成像镜头,其特征在于,该光线转折元件的阿贝数介于40至65。