技术特征：
技术总结
本发明涉及一种定向生长的二氧化钛纳米簇阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，其特征在于可通过如下技术方案实现：利用双光束或多光束激光干涉光路系统，对清洗过的FTO导电基底进行激光干涉光刻刻蚀，将预图案化的FTO导电基底放进由去离子水、钛酸四丁酯、浓硫酸组成的溶液中进行水热反应，通过恒温干燥箱加热，制备出定向生长的二氧化钛纳米簇阵列。二氧化钛纳米簇阵列的生长周期可通过改变激光干涉光刻的参数，使其周期从纳米级到微米级可调，二氧化钛纳米线的直径和长度可通过改变水热法的加热时间和加热温度进行调节。
技术研发人员：王作斌;宁晓辉;丁然;孟庆玲;韩永路;周东阳;李理;曹亮;翁占坤;董莉彤;宋正勋
受保护的技术使用者：长春理工大学
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2017.09.08