对包含第viii族金属的表面采用氧化性气体的平面化方法

专利名称：：对包含第viii族金属的表面采用氧化性气体的平面化方法
技术领域：
：本发明涉及，特别是在半导体器件制造过程中，包含第VIII族金属(优选包含铂)的表面的平面化方法。
背景技术：
：金属和金属氧化物的膜，特别是较重的第VIII族元素的膜，对于各种电子和电化学的应用日益重要。这至少是因为许多VIII族金属的膜一般是不活泼的，能耐氧化或阻滞氧的扩散，而且是优良的导体。这些金属中某些金属的氧化物也具有这些性质，不过在程度上也许不同。因此，第VIII族金属、它们的合金、和金属氧化物的膜，特别是第二和第三行(row)金属(例如Ru、Os、Rh、Ir、Pd、和Pt)的膜，具有适合在集成电路中应用的各种性质。例如在集成电路中可以将它们用作例如阻挡层材料。它们特别适合在存储器件中用作介电材料和硅基片之间的阻挡层。而且，它们本身也适合在电容器中用作电容器板(即电极)。铂是用作高介电电容器电极的侯选材料之一。电容器是随机存取存储设备例如动态随机存取存储(DRAM)设备、静态随机存取存储(SRAM)设备、和现在的铁电存储(FERAM)设备中基本的电荷存储器件，它们由二个导体例如平行的金属或多晶硅电容器板组成，它们起电极的作用(即存储节点电极和单元板电容器(cellplatecapacitor)电极)，通过介电材料(用于FERAMs的铁电体介电材料)彼此绝缘。因此，不断需要加工包含VIII族金属的膜，优选包含铂的膜的方法和材料。在包含VIII族金属的膜的生成过程中，特别是在半导体器件的晶片制造过程中，获得的许多表面都具有不同的高度，所以晶片的厚度也不相同。而且有些表面可能还有缺陷，例如晶格损坏、划痕、粗糙、或嵌入泥土或灰尘粒子。对于将要进行的各种制造过程，例如平板印刷和蚀刻，必须减少或消除晶片表面高度的差异和缺陷。也可能需要除掉多余的材料，以便相对底层基片形成具有选择性的结构。可以使用各种平面化技术提供所述的减少和/或消除。一种所述的平面化技术包括机械抛光和/或化学-机械抛光(这里简缩为“CMP”)。使用平面化方法除掉材料，优选在整个芯片和晶片上获得平的表面，有时称作“全局平面化(globalplanarity)”。平面化方法，特别是CMP，通常包括使用固定晶片的晶片吸盘(waferholder)、抛光盘(polishingpad)和磨料浆体，磨料浆体包括许多磨料粒子在液体中的分散体。施加磨料浆体，使其与晶片和抛光盘的表面接触。抛光盘放在抛光桌(table)或抛光台(platen)上。抛光盘以一定压力施加在晶片上进行平面化。在相对另一个的运动中，至少晶片和抛光盘之一是固定的。在某些平面化方法中，晶片吸盘可以旋转也可以不旋转，抛光桌或抛光台可以旋转也可以不旋转，和/或抛光台可以相对旋转作直线运动。有许多类型的平面化设备可以使用，它们以不同的方式进行这个过程。另一种方法，可以采用固定磨料制品代替抛光盘和磨料浆体，固定磨料制品包括许多磨料粒子，它们分散在粘附在底板材料(backingmaterial)至少一个表面上的粘合剂中。包括铂和其它VIII族金属的表面的平面化，在抛光过程中包括的机械作用一般多于化学作用，因为它们在化学上是相当不活泼的和/或具有较少的挥发产物。所述的机械抛光使用氧化铝和二氧化硅粒子。不幸的是，机械抛光往往引起缺陷的生成(例如划痕和粒子)，但不能清除掉铂，可以用光学方法检测划痕和粒子。许多商业上可利用的磨料浆体，也不能使包含铂或其它VIII族金属的表面有效地平面化，这既是因为没有除掉任何材料(这使晶片的电阻没有任何变化)，也是因为在所获得的表面上有缺陷。因此，特别是在半导体器件的制造过程中，仍然需要使包含铂和/或其它VIII族金属的基片暴露的表面平面化的方法。发明概述本发明提供解决包括铂和/或另一种VIII族第二和第三行金属(即第8、9、和10族，优选Rh、Ru、Ir、Pd、和Pt)的表面平面化的许多问题的方法。本文将所述的表面称作包含铂的表面，或更普遍地称作包含VIII族金属的表面。“包含VIII族金属的表面”系指所暴露的包含VIII族金属(特别是铂)的区域，优选VIII族金属的存在量为该区域组合物的至少约10原子％，更优选至少约20原子％，最优选至少约50原子％，该区域可以以按照本发明将被平面化的层、膜、和覆层等形式提供。该表面优选包括一种或多种元素形式的VIII族金属或它们的合金(它们彼此的合金和/或与周期表中一种或多种其它金属的合金)以及它们的氧化物、氮化物、和硅化物。更优选该表面包括一种或多种元素形式的VIII族金属，或只包含VIII族金属的合金(最优选基本上由一种或多种元素形式的VIII族金属，或只包含VIII族金属的合金组成)。本发明的方法包括采用平面化组合物使表面平面化，在该平面化组合物中优选包括固态或液态的氧化剂(分散或溶解在组合物中)，氧化剂在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。优选在组合物中存在使溶液饱和量的氧化性气体。更优选在组合物中存在的氧化性气体量不大于约10重量％，更优选为约0.1重量％-约1重量％。特别优选的氧化剂种类包括氧、一氧化二氮、空气、或它们的组合。本文通常所说的“使...平面化”或“平面化”，系指从表面上除掉材料，不管是大量还是少量材料，也不管是采用机械方法、化学方法还是采用这二种方法。平面化也包括采用抛光除掉材料。本文使用的“化学-机械抛光”和“CMP”，系指具有化学成分和机械成分的双重机制，和在晶片抛光过程中一样，其中腐蚀化学和断裂力学在除掉材料过程中都起作用。平面化组合物可以任选包括磨料粒子，由其获得磨料浆体，在采用在其中未嵌入磨料粒子的常规抛光盘的平面化技术中使用。另一种方法，在其中不包含磨料粒子的平面化组合物，可以与代替常规抛光盘的固定磨料制品(也称作磨料抛光盘)一起使用。所述的固定磨料制品包括许多磨料粒子，它们分散在粘附在底板材料至少一个表面上的粘合剂中。无论在固定磨料制品中还是在平面化组合物中，优选的磨料粒子的硬度都不大于约9Mohs。如果氧化性气体在包含磨料粒子的组合物(即磨料浆体)中是不稳定的，可以采用单独的供给系统和/或以单独的组合物提供它们，并在使用地点混合。在本发明的一个方面，提供一种平面化方法，其中包括将基片(优选半导体基片或基片组件，例如晶片)的包含VIII族金属的表面放到与抛光盘的界面上；在界面附近提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的表面平面化。VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合。平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。在本发明的另一个方面，平面化方法包括将基片包含VIII族金属的表面放到与抛光表面的界面上，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；在界面附近提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的表面平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，氧化性气体选自氧、空气、氯、一氧化二氮、氧化氮、三氧化硫、卤间化合物(interhalogen)、和它们的组合。在本发明的另一个方面，平面化方法包括将基片包含VIII族金属的表面放到与抛光表面的界面上，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；在界面附近提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的表面平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4，其中氧化性气体在组合物中的存在量不大于约10重量％。另一个方面包括一种平面化方法，其中包括提供半导体基片或基片组件，其中包括至少一个包含铂的表面区域；在至少一个包含铂的表面区域和抛光表面之间的界面上，提供平面化组合物；和使至少一个包含铂的表面区域平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。在另一个方面，提供一种在形成电容器或阻挡层的过程中使用的平面化方法，其中包括提供晶片，其中具有在其上形成的介电材料图案层和在介电材料图案层上形成的包含VIII族金属的层，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；将抛光表面的第一部分放到与包含VIII族金属的层接触的位置上；在抛光表面和包含VIII族金属的层之间的接触面附近，提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的层平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。本文使用的“半导体基片或基片组件”系指半导体基片，例如基本半导体层或具有在其上形成的一个或多个层、结构、或区域的半导体基片。基本半导体层一般是晶片上最下面的硅材料层，或配置在另一种材料上的硅层，例如在蓝宝石上的硅层。当指的是基片组件时，可以预先使用各种工艺步骤形成或限定区域、结、各种结构或表面特征、和开孔，例如用于电容器的电容器板或阻挡层。附图简述图1A和1B是按照本发明进行平面化加工前后晶片一部分的横截面示意图。图2A和2B是按照本发明进行平面化加工前后晶片一部分的横截面示意图。对优选实施方案的说明本发明提供包括铂和/或一种或多种其它VIII族金属的表面的平面化方法。VIII族金属也称作VIIIB族元素，或周期表中第8、9、和10族的过渡金属。第二和第三行VIIIB族金属包括Rh、Ru、Ir、Pd、Pt、和Os。根据本发明的方法，可以优选使包括Rh、Ru、Ir、Pd、和/或Pt的表面平面化。本文将所述的表面称作包含VIII族金属的表面(这系指包含第二和/或第三行过渡金属的表面)。优选“包含VIII族金属的表面”，系指暴露的包含VIII族金属(特别是铂)的区域，其中VIII族金属的存在量为该区域组合物的至少约10原子％，更优选至少约20原子％，最优选至少约50原子％，该区域可以以按照本发明将被平面化(例如通过化学-机械平面化、或机械平面化、或抛光)的层、膜、和覆层等形式提供。所述表面的平面化，特别是包括铂的表面的平面化，一般包括采用氧化铝(Al2O3)和/或二氧化硅(SiO2)粒子等较硬粒子的机械方法，这种方法本身能引起严重的浸润(smearing)、除掉速率缓慢、和产生缺陷，而不能清除掉材料。使用包括既可以与组合物中的许多磨料粒子组合，也能与固定磨料制品组合的氧化性气体的平面化组合物，能减少并时常消除缺陷生成和浸润问题，往往还能提高选择性和除掉速率。重要的是，本发明的方法在先于包含其它金属的材料，从表面上除掉包含铂或包含其它第二和第三行VIII族金属的材料(例如金属、合金、和氧化物)时，显然特别有利。这在从包含铂或包含其它第二和第三行VIII族金属的层中选择性除掉材料，而不除掉大量的例如氧化物层和氮化物层等底层(例如TEOS或BPSG层)时是重要的。从包含第二和第三行VIII族金属的表面上除掉材料，相对于包含其它金属的材料(例如BPSG或TEOS)的选择性，优选至少约10∶1，更优选约20∶1-约100∶1，取决于化学和工艺条件。在浆体平面化(即在平面化组合物包括磨料粒子和抛光盘不包括磨料粒子的常规平面化方法中)或在固定磨料平面化过程中，可以使用平面化组合物。因此，本文使用的“抛光表面”系指抛光盘或固定磨料制品。在本发明的方法中，优选使用浆体平面化。当在平面化组合物中存在时，以组合物的总重量为基准计算，组合物包括的磨料粒子量，优选约1重量％-约30重量％，更优选约1重量％-约15重量％。一般磨料粒子的量越低，提供包含VIII族金属的表面相对BPSG等氧化物层的选择性就越好。然而，一般通过权衡磨料粒子的类型和数量、氧化性气体的类型和数量、和组合物的pH，对特定金属获得最佳水平的选择性。在磨料浆体中或在固定磨料制品中，可以使用种类繁多的磨料粒子。所述磨料粒子的粒度(即粒子的最大尺寸)范围，一般平均为约10nm-约5000nm，更时常为约30nm-约1000nm。对于优选的实施方案，适宜磨料粒子的平均粒度为约100nm-约300nm。适宜磨料粒子的实例包括但不限于氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化铈(CeO2)、二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化锰(MnO2)、和二氧化钽(TaO2)。优选的磨料粒子包括氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化铈(CeO2)、二氧化钛(TiO2)、和二氧化锆(ZrO2)。如果需要，也可以使用磨料粒子的各种组合。对于某些实施方案，磨料粒子优选包括硬度不大于约9Mohs(莫氏硬度)的粒子，更优选不小于约6Mohs。这些磨料粒子包括例如硬度约6Mohs的二氧化铈(CeO2)，硬度约9Mohs的氧化铝(Al2O3)，和硬度约7Mohs的二氧化硅(SiO2)。在按照本发明的某些方法中，许多磨料粒子(即在磨料浆体中或在固定磨料制品中)的大多数优选是CeO2粒子。这一般会减少缺陷的生成。在按照本发明的某些其它方法中，许多磨料粒子(在磨料浆体中或在固定磨料制品中)的大多数，优选硬度为约8Mohs-约9Mohs。这一般会提高除掉速率。平面化组合物包括气态的氧化剂，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。氧化剂在室温下是气体。它溶解在一般包括液态介质水的平面化组合物中。适宜的氧化性气体的实例包括氧、臭氧、空气、氯、一氧化二氮、氧化氮、三氧化硫、和卤间化合物(例如ClF3)。在本发明的方法中可以使用所述氧化性气体的各种组合。优选的氧化剂种类包括氧、空气、氯、一氧化二氮、氧化氮、三氧化硫、和卤间化合物。更优选的氧化剂种类包括氧、一氧化二氮、和空气。最优选的氧化性气体种类包括氧和空气。氧化性气体在组合物中优选的存在量是使该溶液饱和。以组合物的总重量为基准计算，氧化性气体在组合物中的存在量更优选不大于约10重量％，更优选约0.1重量％-1重量％。然而，对于某些实施方案，如果需要，可以使用较高量的氧化剂。对于各种所需的作用，平面化组合物可以任选和优选包括在申请人的受让人在2001年12月21日提交的，题为包含VIII族金属的表面采用络合剂的平面化方法的，序号为10/028,040的共同未决的美国专利申请中所述的络合剂，以有助于平面化。选择所述的络合剂，使氧化性气体不能破坏它们的有效性。对于所需的作用，也可以包括其它添加剂。这些添加剂包括但不限于为增加湿润性和减少摩擦的表面活性剂(例如聚乙二醇、聚氧乙烯醚、或聚丙二醇)、为达到所需粘度的增稠剂(例如CARBOPOL)、和为达到所需pH的缓冲剂(例如H2SO4、NH4OH、乙酸盐、和乙酸)等。组合物优选是这些成分的水溶液。更优选含水的平面化组合物具有酸性pH。对于某些实施方案，平面化组合物包括许多磨料粒子。对于其它的实施方案，在提供给固定磨料制品和加工件表面的界面时，平面化组合物基本上不包含磨料粒子。然而，在这些较后的实施方案中，考虑采用固定磨料制品和/或磨料粒子——可以是在固定磨料/表面的界面上从固定磨料制品中脱离的——之一或这二者与平面化组合物组合进行平面化。在任何情况下，在起初施加的组合物中一般都不存在磨料粒子，即不从抛光界面以外的来源提供它们。按照本发明，该方法优选在大气压下和在温度约40°F(约4℃)-约115°F(约46℃)下进行，更优选在温度约75°F(24℃)-约115°F(46℃)下进行。然而在许多情况下，在VIII族金属采用固定磨料制品平面化的过程中，都希望将温度维持在环境温度或环境温度以下。这种温度在浆体平面化过程中(即在平面化组合物包括磨料粒子的常规平面化过程中)很少使用，在这种情况下，较低的浆体温度可能使磨料粒子在平面化过程中在浆体组合物中的分散较差。因此，在浆体平面化过程中一般采用升温。不过温度太高能使氧化性气体在平面化组合物中的浓度太低。实施本发明方法的各种平面化组件或设备已经可以买到，可以根据在所附的权利要求中所述本发明的范围进行明确的考虑。所述的平面化组件可以在抛光盘或固定磨料制品和基片表面(例晶片表面)之间产生界面，以旋转、移动、和加压等各种方法进行平面化。一般采用各种方法，例如采用滴落、喷雾、或其它分配方法，或采用预浸抛光盘的方法，在界面上或在界面的附近加入平面化组合物，不过也可以采用其它的加入地点和加入方法。在典型的平面化机器中，抛光盘固定在抛光台或抛光桌上，载体组件包括一般采用抽吸支持基片(例如晶片)的基片吸盘、使抛光台在平面化过程中旋转和/或作往复运动的驱动组件、和/或使基片吸盘在平面化过程中旋转和/或平移的驱动组件。因此，常规的平面化机器使载体组件、抛光盘旋转，或使载体组件和抛光盘二者旋转。一般使用平面化机器在基片表面上产生平面化反应产物，基片的硬度小于磨料粒子的硬度，磨料粒子对基片的粘附力小于原来的表面材料；和采用磨料粒子除掉反应产物。在其中嵌入或未嵌入磨料粒子的抛光盘，一般是圆盘形的，并可以以恒定或不变的速度围绕固定的平面和轴旋转。旋转速度一般为约2rpm-约200rpm。一般都将抛光盘预浸泡，并不断地用平面化组合物重新弄湿。如果抛光盘中不包括嵌入其中的磨料粒子，则平面化组合物包括磨料粒子，此后将平面化组合物称作磨料浆体。可以采用各种技术，将平面化组合物施加到抛光盘和基片表面之间的界面上。例如，可以分别施加组合物的各个成分部分，并在界面上或就在与界面接触之前混合它们。可以采用通过抛光盘泵送的方法施加平面化组合物。采用另一种方法，可以在抛光盘的主要边缘施加平面化组合物，不过这不可能提供所希望的平面化组合物在整个被平面化的表面上的均匀分布。抛光盘可以是能与磨料浆体一起使用的种类繁多的常规抛光盘中的任何一种。抛光盘可以由例如聚氨酯、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸酯共聚物、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、纤维素、纤维素酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚硅氧烷、聚碳酸酯、环氧化物、和酚醛树脂等材料制造。它们包括例如聚氨酯基的泡沫材料，其中抛光盘细胞状的泡沫塑料壁有助于除掉晶片表面上的反应产物，抛光盘内的孔隙有助于给抛光盘/晶片的界面提供浆体。它们可以包括凸起或凹陷的表面特征(features)，所述的特征可以通过施加表面图案的方法制成。例如，抛光盘可以在表面上具有同心椭圆形的连续凹槽，以供比较均匀地提供浆体和比较有效的除掉碎片。可以以商品名“URII”、“Sycamore”、和“Polytex”从亚利桑那州凤凰城的Rodel获得商业上可以使用的抛光盘。在US-6,039,633(Chopra)中也公开了一些抛光盘的实例。固定磨料制品一般包括许多磨料粒子，它们分散在粘附在底板材料一个表面上形成三维固定磨料元件的粘合剂中。例如在US-5,692,950(Rutherford等人)和国际专利公报WO98/06541中叙述了它们。在商业上可以利用的固定磨料制品，可以从日本东京的二家公司SumitsuKageki和Ebera(TokyoSumitsuKagekiandEbera，bothofJapan)以及明尼苏达州圣保罗的明尼苏打采矿制造公司(MinnesotaMiningandManufacturingCompany)(3M公司)获得。优选的固定磨料制品的实例，是在市场上可以以商品名称“SWR159”从3M公司购买的二氧化铈基的抛光盘。所述固定磨料制品，在平面化组合物中包含或不包含磨料粒子的情况下，都可以与本文所述的平面化组合物一起使用。非常希望具有高抛光速率(即从基片上除掉材料的速率)，以缩短每个平面化循环的时间，抛光速率优选在整个基片上是相同的，以产生同样平的表面。优选控制抛光速率来提供精确的可重现性的结果。也优选平面化过程在一个循环(即一个步骤)中进行。即为了从特定的表面上除掉任何材料，在不插入任何冲洗循环的情况下只有一个平面化循环。这个平面化过程随后一般跟着不使用磨料粒子的后平面化清洁过程，一些图提供了关于本发明方法的进一步资料。图1A示出在按照本发明平面化之前晶片的一部分10，其特征是在表面上充满了将通过平面化除掉的材料。晶片部分10包括基片组件12，它具有在其上形成的结16。此外，还在基片组件12和结16上形成电容器和/或阻挡层材料19。电容器和/或阻挡层材料19可以是任何导电的材料，例如包含铂或任何其它适宜的导电的第二或第三行VIII族金属的电容器和/或阻挡层材料。图1A所示电容器和/或阻挡层19不平的上表面13，一般要按照本发明进行平面化或其它加工。获得图1B所示的晶片10，其中包括被平面化的上表面17，于是晶片10的厚度在整个晶片10上基本相同，所以晶片现在包括电容器和/或阻挡层结构层14。图2A示出按照本发明平面化前晶片的一部分20，其特征是在表面上具有将通过平面化除掉的类似材料层。晶片部分20包括基片组件22，它具有在其上形成的介电材料图案层26。可以以各种结构，特别是电容器结构，使用所述的介电材料图案层26。介电材料图案层26可以由在金属区域之间提供电绝缘的任何材料(例如二氧化硅、氮化硅、或BPSG)制成。然后在基片组件22和介电材料图案层26上形成电极层29。电极层29可以是包含铂或任何其它适宜的导电的第二或第三行VIIIB族或IB族金属的材料。图2A所示电极层29不平的上表面23，一般要按照本发明进行平面化或其它加工。获得图2B所示的晶片20，其中包括被平面化的上表面27，于是晶片20的厚度在整个晶片20上基本相同，所以晶片现在包括隔离在介电图案材料26内的导电区域24，形成电容器结构。如果需要，在平面化之前，可以采用在平面化之后被除掉的感光性树脂或其它材料涂覆类似的层29和开孔24，所以磨料不会落入开孔24中。给出这些图只是为了说明在半导体器件制造过程中表面不同，例如高度不同。本发明不限于使用不平的表面，例如图中所示的表面。本发明应用于基本上平的表面也是有利的。例如，当被平面化的表面基本上是平的状态时，按照本发明的方法在整个平面化过程中，甚至是在过程结束时，都是有利的。提供下列实施例进一步说明各个具体的和优选的实施方案和技术。然而应当理解，当保持在本发明的范围内时，可以进行许多变动和改进。实施例使用空白的铂晶片作为试样。用3l水稀释3lRodelGganitePartA浆体，制成浆体。在该混合物中加入10ml浓乙酸。混合物搅拌30min。对于抛光，使用采用RodelURII抛光盘的常规旋转式抛光机，例如AMATMIRRA。改进工具，使进入抛光盘前，能在短时间内将氧加入浆体中。以10sccm的流量加入气体。采用4.5lb向下的力、抛光桌速度55rpm、和机头(head)速度50rpm进行抛光。浆体流量调节到150ml/min。在抛光后，采用常规清洗方法清洁晶片。给出前面的详细说明和实施例，只是为了清楚地理解本发明。应当理解，其中没有不必要的限制。本发明不限于所给出的和所说明的准确细节，因为本领域的技术人员显而易见的一些变动，都包括在权利要求所规定的本发明内。例如，尽管上面的说明都集中在半导体基基片的平面化上，但本发明的组合物和方法也可以应用到例如抛光玻璃和隐形镜片上，成为许多其它可能的应用之一。好像曾经单独引入每一份文献作为参考，在此再引入所列举的所有专利、专利文献、和公报的全部公开内容作为参考。权利要求1.一种平面化方法，其中包括将基片包含VIII族金属的表面放到与抛光表面的界面上，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；在界面附近提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的表面平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。2.权利要求1的方法，其中基片包含VIII族金属的表面包括元素形式的VIII族金属或它们的合金。3.权利要求2的方法，其中包含VIII族金属的表面包括元素铂、铑、铱、钌、或它们的组合。4.权利要求3的方法，其中包含VIII族金属的表面包括元素铂。5.权利要求1的方法，其中VIII族金属的存在量≥约10原子％。6.权利要求1的方法，其中基片是半导体基片或基片组件。7.权利要求1的方法，其中抛光表面包括抛光盘，平面化组合物包括许多磨料粒子。8.权利要求1的方法，其中平面化组合物包括硬度不大于约9Mohs的许多磨料粒子。9.权利要求8的方法，其中许多磨料粒子包括CeO2、Al2O3、SiO2、和它们的混合物。10.权利要求1的方法，该方法是在一个步骤中进行的。11.权利要求1的方法，其中氧化性气体选自氧、臭氧、空气、氯、一氧化二氮、氧化氮、三氧化硫、卤间化合物、和它们的组合。12.权利要求11的方法，其中氧化性气体选自氧、空气、和它们的组合。13.权利要求12的方法，其中氧化性气体是氧。14.权利要求1的方法，其中平面化是采用固定磨料制品进行的。15.一种平面化方法，其中包括将基片包含VIII族金属的表面放到与抛光表面的界面上，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；在界面附近提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的表面平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，氧化性气体选自氧、空气、氯、一氧化二氮、氧化氮、三氧化硫、卤间化合物、和它们的组合。16.一种平面化方法，其中包括将基片包含VIII族金属的表面放到与抛光表面的界面上，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；在界面附近提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的表面平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4，其中氧化性气体在组合物中的存在量不大于约10重量％。17.一种平面化方法，其中包括提供半导体基片或基片组件，其中包括至少一个包含铂的表面区域；提供抛光表面；在至少一个包含铂的表面区域和抛光表面之间的界面上，提供平面化组合物；和使至少一个包含铂的表面区域平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。18.权利要求17的方法，其中铂的存在量≥约10原子％。19.权利要求17的方法，其中包含铂的表面包括元素铂。20.权利要求17的方法，其中平面化组合物包括许多磨料粒子，它们选自CeO2、Al2O3、SiO2、和它们的混合物。21.权利要求17的方法，其中包含铂的表面包括铂合金。22.权利要求17的方法，其中半导体基片或基片组件是硅晶片。23.权利要求17的方法，其中氧化性气体选自氧、一氧化二氮、空气、或它们的组合。24.权利要求23的方法，其中氧化性气体选自氧、空气、或它们的组合。25.权利要求24的方法，其中氧化性气体选自氧。26.在形成电容器或阻挡层过程中使用的一种平面化方法提供晶片，其中具有在其上形成的介电材料图案层和在介电材料图案层上形成的包含VIII族金属的层，其中VIII族金属选自铑、铱、钌、锇、钯、铂、和它们的组合；将抛光表面的第一部分放到与包含VIII族金属的层接触的位置上；在抛光表面和包含VIII族金属的层之间的接触面附近，提供平面化组合物；和使包含VIII族金属的层平面化；其中平面化组合物包括氧化性气体，其在25℃下对标准氢电极的标准还原电位为至少约1.4。全文摘要一种平面化方法，其中包括提供包含第二和/或第三行VIII族金属的表面(优选包含铂的表面)，在包括氧化性气体的平面化组合物存在下，将其放到与抛光表面接触的位置上。文档编号C09G1/00GK1636270SQ02825845公开日2005年7月6日申请日期2002年12月17日优先权日2001年12月21日发明者S·乌伦布罗克,D·L·维斯特莫雷兰德申请人:微米技术有限公司