OLED封装方法与OLED封装结构与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。

背景技术：

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

OLED器件的封装材料多使用致密度高且具有良好导热性的材料，以确保OLED器件中的有机层及电极层材料与外界环境完全隔离，并有效排出OLED器件长时间工作所产生的热能。类金刚石(Diamond-Like Carbon，DLC)具有良好的抗磨耗性能、较佳的耐腐蚀性、高致密度以及高热传导性，同时对湿气具有较低的水穿透率，因此相对于一般的有机材料或陶瓷材料来说，在OLED的封装工艺上具有一定的优势。

目前，应用DLC材料的OLED封装结构一般采用DLC膜/缓冲层/DLC膜/缓冲层交替的结构，如Kuang-Jung Chen在专利US20040056269中的封装结构采用DLC膜与缓冲层交替的方式，DLC膜用于阻隔外界的水氧，缓冲层用于缓解应力。随后，在CN1328936C、US20060078677等专利中都可以看到一系列此类型的封装工艺。然而，由于纯DLC膜的密度较高，因此光穿透性不高，而且膜的应力很大，在弯曲时容易出现裂痕。

Xiaowei Li等人在Elsevier上报道了采用不同浓度的钛(Ti)掺杂DLC后对DLC膜的应力大小的影响，结果表明，随着Ti含量的增加，膜应力呈现先减小后增大的趋势，该研究为解决DLC膜在弯曲时易出现裂痕的问题提供了很好的指导方案。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种OLED封装方法，能够提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构，能够提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED封装方法的第一实施例，包括如下步骤：

步骤1、提供OLED器件，在所述OLED器件上形成第一无机层，所述第一无机层整面覆盖所述OLED器件；

步骤2、在所述第一无机层上形成第一钛掺杂类金刚石膜层，所述第一钛掺杂类金刚石膜层整面覆盖所述第一无机层；

步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层上形成第一有机层，所述第一有机层整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层；

步骤4、在所述第一有机层上形成第二无机层，所述第二无机层整面覆盖所述第一有机层。

本发明还提供一种OLED封装方法的第二实施例，其与上述OLED封装方法的第一实施例的区别在于，还包括：

步骤5、在所述第二无机层上形成第二钛掺杂类金刚石膜层，所述第二钛掺杂类金刚石膜层整面覆盖所述第二无机层。

本发明还提供一种OLED封装方法的第三实施例，其与上述OLED封装方法的第一实施例的区别在于，还包括：

步骤5’、在所述第二无机层上形成第二有机层，所述第二有机层整面覆盖所述第二无机层；

在所述第二有机层上形成第三无机层，所述第三无机层整面覆盖所述第二有机层。

本发明还提供一种OLED封装方法的第四实施例，其与上述OLED封装方法的第二实施例的区别在于，还包括：

步骤6、在所述第二钛掺杂类金刚石膜层上形成第二有机层，所述第二有机层整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层；

在所述第二有机层上形成第三无机层，所述第三无机层整面覆盖所述第二有机层。

本发明还提供一种OLED封装方法的第五实施例，其与上述OLED封装方法的第四实施例的区别在于，还包括：

步骤7、在所述第三无机层上形成第三钛掺杂类金刚石膜层，所述第三钛掺杂类金刚石膜层整面覆盖所述第三无机层。

本发明还提供一种OLED封装结构的第一实施例，包括OLED器件、设于OLED器件上且整面覆盖所述OLED器件的第一无机层、设于第一无机层上且整面覆盖所述第一无机层的第一钛掺杂类金刚石膜层、设于第一钛掺杂类金刚石膜层上且整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层的第一有机层、以及设于第一有机层上且整面覆盖所述第一有机层的第二无机层。

本发明还提供一种OLED封装结构的第二实施例，其与上述OLED封装结构的第一实施例的区别在于，还包括：设于所述第二无机层上且整面覆盖所述第二无机层的第二钛掺杂类金刚石膜层。

本发明还提供一种OLED封装结构的第三实施例，其与上述OLED封装结构的第一实施例的区别在于，还包括：设于所述第二无机层上且整面覆盖所述第二无机层的第二有机层、以及设于所述第二有机层上且整面覆盖所述第二有机层的第三无机层。

本发明还提供一种OLED封装结构的第四实施例，其与上述OLED封装结构的第二实施例的区别在于，还包括：设于所述第二钛掺杂类金刚石膜层上且整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层的第二有机层、以及设于所述第二有机层上且整面覆盖所述第二有机层的第三无机层。

本发明还提供一种OLED封装结构的第五实施例，其与上述OLED封装结构的第四实施例的区别在于，还包括：设于所述第三无机层上且整面覆盖所述第三无机层的第三钛掺杂类金刚石膜层。

本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED封装方法与OLED封装结构，通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层，利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为本发明的OLED封装方法的第一实施例的流程图；

图2-3为本发明的OLED封装方法的第一实施例的步骤1的示意图；

图4为本发明的OLED封装方法的第一实施例的步骤2的示意图；

图5为本发明的OLED封装方法的第一实施例的步骤3的示意图；

图6为本发明的OLED封装方法的第一实施例的步骤4的示意图暨本发明的OLED封装结构的第一实施例的剖视示意图；

图7为本发明的OLED封装方法的第二实施例的步骤5的示意图暨本发明的OLED封装结构的第二实施例的剖视示意图；

图8为本发明的OLED封装方法的第三实施例的步骤5’的示意图暨本发明的OLED封装结构的第三实施例的剖视示意图；

图9为本发明的OLED封装方法的第四实施例的步骤6的示意图暨本发明的OLED封装结构的第四实施例的剖视示意图；

图10为本发明的OLED封装方法的第五实施例的步骤7的示意图暨本发明的OLED封装结构的第五实施例的剖视示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1，为本发明的OLED封装方法的第一实施例，其包括如下步骤：

步骤1、如图2与图3所示，提供OLED器件101，在所述OLED器件101上形成第一无机层201，所述第一无机层201整面覆盖所述OLED器件101。

具体的，所述步骤1中，采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)、或者溅射(Sputter)的方式形成第一无机层201。

具体的，所述第一无机层201的材料包括氧化铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)、碳氮化硅(SiCN_x)、及氧化硅(SiO_x)中的一种或多种。

具体的，所述第一无机层201的厚度为0.5μm-1μm。

具体的，所述第一无机层201的作用在于阻隔外界水氧对OLED器件101的侵蚀。

步骤2、如图4所示，在所述第一无机层201上形成第一钛掺杂类金刚石膜(Ti doped in DLC film)层301，所述第一钛掺杂类金刚石膜层301整面覆盖所述第一无机层201。

具体的，所述步骤2中，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度电浆化学气相沉积(High Density Plasma CVD，HDPCVD)、或者感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition，ICPCVD)的方式形成第一钛掺杂类金刚石膜层301。

具体的，所述第一钛掺杂类金刚石膜层301的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％。

具体的，所述第一钛掺杂类金刚石膜层301的厚度为1nm-1000nm。

通过将钛元素掺入类金刚石膜中，可以降低类金刚石膜的密度，从而提高类金刚石膜的光透过率，同时降低类金刚石膜的应力，提高类金刚石膜的柔性；因此，本发明通过在OLED薄膜封装层中设置第一钛掺杂类金刚石膜层301，利用第一钛掺杂类金刚石膜层301较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性、以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

具体的，通过提高OLED薄膜封装层的光透过率，可以提高OLED器件101的光输出效率；通过提高OLED薄膜封装层的热传导能力，可以有效的将OLED器件101中的热量传递到外界，提高OLED器件101的使用寿命；通过提高OLED薄膜封装层的阻隔水氧能力，可以保护OLED器件101不受外界水氧的侵蚀，进一步提高OLED器件101的使用寿命；通过提高OLED薄膜封装层的弯折特性，可以防止OLED薄膜封装层在弯曲时出现裂纹，提高OLED薄膜封装层的使用寿命。

步骤3、如图5所示，在所述第一钛掺杂类金刚石膜层301上形成第一有机层401，所述第一有机层401整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层301。

具体的，所述步骤3中，利用喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)或者等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方式形成第一有机层401。

具体的，所述第一有机层401的材料包括丙烯酸脂(Acrylic)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。

具体的，所述第一有机层401的厚度为4μm-8μm。

具体的，所述第一有机层401主要起到缓解柔性OLED显示面板在弯曲、折叠时的应力以及平坦化的作用。

步骤4、如图6所示，在所述第一有机层401上形成第二无机层202，所述第二无机层202整面覆盖所述第一有机层401。

具体的，所述步骤4中，所述第二无机层202的材质、厚度及制备工艺与所述第一无机层201相同。

请参阅图2至图6，同时参阅图7，为本发明的OLED封装方法的第二实施例，所述OLED封装方法的第二实施例的步骤1至步骤4与所述OLED封装方法的第一实施例相同，区别在于，还包括：

步骤5、如图7所示，在所述第二无机层202上形成第二钛掺杂类金刚石膜层302，所述第二钛掺杂类金刚石膜层302整面覆盖所述第二无机层202。

具体的，所述步骤5中，所述第二钛掺杂类金刚石膜层302的材质、厚度及制备工艺与所述第一钛掺杂类金刚石膜层301相同。

请参阅图2至图6，同时参阅图8，为本发明的OLED封装方法的第三实施例，所述OLED封装方法的第三实施例的步骤1至步骤4与所述OLED封装方法的第一实施例相同，区别在于，还包括：

步骤5’、如图8所示，在所述第二无机层202上形成第二有机层402，所述第二有机层402整面覆盖所述第二无机层202；

在所述第二有机层402上形成第三无机层203，所述第三无机层203整面覆盖所述第二有机层402。

具体的，所述步骤5’中，所述第二有机层402的材质、厚度及制备工艺与所述第一有机层401相同；所述第三无机层203的材质、厚度及制备工艺与所述第一无机层201及第二无机层202相同。

请参阅图2至图7，同时参阅图9，为本发明的OLED封装方法的第四实施例，所述OLED封装方法的第四实施例的步骤1至步骤5与所述OLED封装方法的第二实施例相同，区别在于，还包括：

步骤6、如图9所示，在所述第二钛掺杂类金刚石膜层302上形成第二有机层402，所述第二有机层402整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层302；

在所述第二有机层402上形成第三无机层203，所述第三无机层203整面覆盖所述第二有机层402。

具体的，所述步骤6中，所述第二有机层402的材质、厚度及制备工艺与所述第一有机层401相同；所述第三无机层203的材质、厚度及制备工艺与所述第一无机层201及第二无机层202相同。

请参阅图2至图7、图9，同时参阅图10，为本发明的OLED封装方法的第五实施例，所述OLED封装方法的第五实施例的步骤1至步骤6与所述OLED封装方法的第四实施例相同，区别在于，还包括：

步骤7、如图10所示，在所述第三无机层203上形成第三钛掺杂类金刚石膜层303，所述第三钛掺杂类金刚石膜层303整面覆盖所述第三无机层203。

具体的，所述步骤7中，所述第三钛掺杂类金刚石膜层303的材质、厚度及制备工艺与所述第一钛掺杂类金刚石膜层301及第二钛掺杂类金刚石膜层302相同。

上述OLED封装方法，通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层，利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

基于上述OLED封装方法，本发明还提供一种OLED封装结构，请参阅图6，为本发明的OLED封装结构的第一实施例，其包括OLED器件101、设于OLED器件101上且整面覆盖所述OLED器件101的第一无机层201、设于第一无机层201上且整面覆盖所述第一无机层201的第一钛掺杂类金刚石膜层301、设于第一钛掺杂类金刚石膜层301上且整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层301的第一有机层401、以及设于第一有机层401上且整面覆盖所述第一有机层401的第二无机层202。

具体的，所述第一无机层201的材料包括氧化铝(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)、碳氮化硅(SiCN_x)、及氧化硅(SiO_x)中的一种或多种。

具体的，所述第一无机层201的厚度为0.5μm-1μm。

具体的，所述第一钛掺杂类金刚石膜层301的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％。

具体的，所述第一钛掺杂类金刚石膜层301的厚度为1nm-1000nm。

具体的，所述第一有机层401的材料包括丙烯酸脂(Acrylic)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。

具体的，所述第一有机层401的厚度为4μm-8μm。

具体的，所述第二无机层202的材质及厚度与所述第一无机层201相同。

请参阅图7，为本发明的OLED封装结构的第二实施例，所述OLED封装结构的第二实施例与所述OLED封装结构的第一实施的区别在于，还包括：设于所述第二无机层202上且整面覆盖所述第二无机层202的第二钛掺杂类金刚石膜层302。

具体的，所述第二钛掺杂类金刚石膜层302的材质及厚度与所述第一钛掺杂类金刚石膜层301相同。

请参阅图8，为本发明的OLED封装结构的第三实施例，所述OLED封装结构的第三实施例与所述OLED封装结构的第一实施例的区别在于，还包括：设于所述第二无机层202上且整面覆盖所述第二无机层202的第二有机层402、以及设于所述第二有机层402上且整面覆盖所述第二有机层402的第三无机层203。

具体的，所述第二有机层402的材质及厚度与所述第一有机层401相同；所述第三无机层203的材质及厚度与所述第一无机层201及第二无机层202相同。

请参阅图9，为本发明的OLED封装结构的第四实施例，所述OLED封装结构的第四实施例与所述OLED封装结构的第二实施例的区别在于，还包括：

设于所述第二钛掺杂类金刚石膜层302上且整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层302的第二有机层402、以及设于所述第二有机层402上且整面覆盖所述第二有机层402的第三无机层203。

具体的，所述第二有机层402的材质及厚度与所述第一有机层401相同；所述第三无机层203的材质及厚度与所述第一无机层201及第二无机层202相同。

请参阅图10，为本发明的OLED封装结构的第五实施例，所述OLED封装结构的第五实施例与所述OLED封装结构的第四实施例的区别在于，还包括：设于所述第三无机层203上且整面覆盖所述第三无机层203的第三钛掺杂类金刚石膜层303。

具体的，所述第三钛掺杂类金刚石膜层303的材质及厚度与所述第一钛掺杂类金刚石膜层301及第二钛掺杂类金刚石膜层302相同。

上述OLED封装结构，通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层，利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

综上所述，本发明的OLED封装方法与OLED封装结构，通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层，利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。