半导体封装件的制造方法及半导体封装件与流程

本发明涉及一种半导体封装件的制造方法。尤其是，涉及具有金属基板的半导体封装件的制造方法。

背景技术：

以往，已知在移动电话或智能电话等的电子设备中，在支承基板上装载ic芯片等的半导体装置的半导体封装件结构(例如专利文献1)。通常，这种半导体封装件采用如下的结构：在支承基板上经由粘结层来接合ic芯片或存储器等的半导体装置，并利用密封体(密封用树脂材料)覆盖所述半导体装置，来保护半导体装置。

作为半导体封装件所用的支承基板，使用印刷基板、陶瓷基板等的各种基板。尤其是近年来，对利用金属基板的半导体封装件的开发持续推进。在金属基板上装载半导体装置并利用再布线而扇出(fan-out)的半导体封装件具有优异的电磁屏蔽性或热特性的优点，作为具有高可靠性的半导体封装件备受瞩目。另外，这种半导体封装件还具有在封装设计方面自由度高的优点。

另外，在作为在支承基板上装载半导体装置的结构的情况下，通过在大型的支承基板上装载多个半导体装置，能够利用同一工序制造多个半导体封装件。在这种情况下，在支承基板上形成的多个半导体封装件在制造工序结束之后被单片化，而完成各个半导体封装件。像这样在支承基板上装载半导体装置的半导体封装件的结构还具有高生产率的优点。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献：日本特开2010-278334号公报

技术实现要素：

(技术问题)

然而，利用以往所使用的激光划片(dicing)装置的单片化存在加工尺寸的限制，不适合于小型的半导体封装件的加工。另一方面，使用以往所使用的刀片划片装置的单片化是沿着切削线同时裁切绝缘树脂部及金属支承板，但是加工速度显著缓慢，在质量方面也存在会在切断面上产生金属毛刺的问题。

鉴于上述问题，本发明的一个实施方式的一个目的在于，提供一种能够提高生产率并制造高质量的半导体封装件的半导体封装件的制造方法。

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置埋设的第一绝缘树脂层；以及在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述第一绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，而在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置的多个半导体装置之间的区域中，在与所述第一面相反一侧的第二面上形成有底的槽部；在所述支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层；以及从所述第一面一侧沿着边界，利用基于机械处理的切削，来进行单片化。

根据本发明的一个实施方式，能够提供一种生产率提高，可制造高质量的半导体封装件的半导体封装件的制造方法。

附图说明

图1为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的结构的剖视图。

图2a为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2b为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2c为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2d为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2e为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2f为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2g为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图2h为用于说明本发明的一个实施方式的变形例的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图3a为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图3b为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图3c为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图3d为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图4a为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图4b为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图4c为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图4d为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图4e为用于说明本发明的一个实施方式的半导体封装件的制造方法的剖视图。

图4f为用于说明本发明的一个实施方式的变形例的半导体封装件的制造方法的剖视图。

(附图标记的说明)

100、200、300：半导体封装件；102：支承基板；102a：第一面；102b：第二面；

102c：第一槽部；102d：第二槽部；104：半导体装置；106：布线；

108：第一绝缘树脂层；110：第二绝缘树脂层；112：焊料球；114：保护膜；

116：阻挡剂图案；118：划片带；120：划片夹具；120c：吸附孔

具体实施方式

以下，参照附图等，对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明能够以多种不同的实施方式来实施，而不应局限于以下所示的实施方式的记载内容来解释。另外，为了更加明确地说明，附图与实际的实施方式相比，存在示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等的情况，归根究底附图只是一个示例，不用于限定本发明的解释。另外，在本说明书以及各附图中，存在对于各附图与前述的附图相同的要素标注相同的附图标记，并适当省略详细的说明的情况。

在本说明书中，在某个部件或区域处于其他部件或区域的“之上(或之下)”的情况下，除非另有限定，则不仅包括其他部件或区域的正上方(或正下方)的情况，还可以包括位于其他部件或区域的上方(或下方)的情况，即，还可以包括在其他部件或区域的上方(或下方)且在其间包含其他结构要素的情况。

<第一实施方式>

[半导体封装件100的结构]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件100的结构进行说明。

图1为用于说明本发明的实施方式的半导体封装件100的结构的剖视图。本实施方式的半导体封装件100包括支承基板102、半导体装置104、布线106、第一绝缘树脂层108、第二绝缘树脂层110及多个焊料球112。

优选地，支承基板102的厚度为200μm以上且500μm以下。在本实施方式中，作为支承基板102的厚度假设为300μm。

在本实施方式中，支承基板102的第二面102b的端部配置为比第一面102a的端部更靠内侧。

作为支承基板102，可以使用金属基板。作为金属基板的材料，可以使用不锈钢(sus)基板、铜(cu)基板、铝(al)基板、钛(ti)基板等金属材料。

另外，作为支承基板102，除了金属基板之外，可以使用硅基板、碳化硅基板、化合物半导体基板等的半导体基板，或者可以使用玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板、树脂基板等绝缘基板。

半导体装置104配置于支承基板102的第一面102a一侧。半导体装置104经由粘结剂(未图示)固定在第一面102a一侧。作为粘结剂，可以使用例如环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂等。在半导体装置104的上部设置有连接到半导体装置104所包括的电子电路的外部端子(未图示)。另外，在本实施方式中，示出了半导体封装件100包括一个半导体装置104的实施方式，但不限于此，只要包括至少一个半导体装置104即可。

作为半导体装置104，可以使用例如中央处理器(centralprocessingunit，cpu)、存储器及微机电系统(microelectromechanicalsystems，mems)等。

第一绝缘树脂层108以掩埋半导体装置104的方式配置于支承基板102上。在第一绝缘树脂层108中设置有到达半导体装置104所具有的外部端子的开口部。

作为第一绝缘树脂层108的材料，可以使用有机树脂。作为有机树脂，例如可以使用聚酰亚胺、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺、酚树脂、硅树脂、氟树脂、液晶聚合物、聚酰胺酰亚胺、聚苯并噁唑、氰酸酯树脂、芳族聚酰胺、聚烯烃、聚酯、bt树脂、fr-4、fr-5、聚缩醛、聚对苯二甲酸丁二酯、间规聚苯乙烯(syndiotacticpolystyrene)、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醚腈、聚碳酸酯、聚苯醚聚砜、聚醚砜、聚芳酯及聚醚酰亚胺等。

布线106经由设置于所述第一绝缘树脂层108的开口部而连接于在半导体装置104的上部设置的外部连接端子。布线106借助于第一绝缘树脂层108而从支承基板102电隔离或物理隔离。

作为布线106的材料，可以从铜(cu)、金(au)、银(ag)、铂(pt)、铑(rh)、锡(sn)、铝(al)、镍(ni)、钯(pd)、铬(cr)等金属或使用这些金属的合金等中选择。另外，布线106可以是包括多种材料的压层结构，可以从上述材料中选择各个层的材料。

第二绝缘树脂层110配置为覆盖第一绝缘树脂层108。另外，在第二绝缘树脂层110中设置有多个开口部110a。多个开口部110a各自到达布线106。换言之，多个开口部110a设置为将布线106露出。由于第二绝缘树脂层110只需能够防止布线106与焊料球112之间的导通即可，因此只要充分地确保布线106与焊料球112之间的间隙即可。

作为第二绝缘树脂层110的材料，可以使用与所述第一绝缘树脂层108的材料相同的材料。

焊料球112配置于第二绝缘树脂层110的开口部110a的内部及上部面，并连接到布线106。焊料球112的上部面从第二绝缘树脂层110的上部面向上方突出。焊料球112的突出部在上部具有呈凸形的弯曲形状。

此外，在以下的说明中，存在将第一绝缘树脂层108及第二绝缘树脂层110并称为绝缘树脂层的情况。

作为焊料球112的材料，例如可以使用由在sn中添加少量的ag、cu、ni、铋(bi)或锌(zn)而成的锡合金所形成的球状物体。另外，除了焊料球112以外，也可以使用通常的导电颗粒。作为导电颗粒，例如可以使用在颗粒状的树脂周边形成导电膜而成的导电颗粒。

[半导体封装件100的制造方法]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件100的制造方法进行说明。

图2a至图2g为用于说明本实施方式的半导体封装件100的制造方法的剖视图。

图2a为在半导体封装件100的制造方法中，进行到直至形成第二绝缘树脂层110的状态的剖视图。

对至此的制造工序进行简单的说明。在支承基板102的第一面102a一侧隔开间隔地配置多个半导体装置104。半导体装置104配置为借助于粘结剂(未图示)而固定于支承基板102的第一面102a一侧。作为粘结剂，可以使用前述材料。

接下来，在支承基板102的第一面102a一侧形成与所述多个半导体装置104的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的第一绝缘树脂层108。

接下来，对从图2a的状态开始对各个半导体封装件100进行单片化的工序进行详细的说明。对各个半导体封装件100进行单片化的工序包括下述的工序a及工序b。

工序a：在多个半导体装置之间的区域中，从第一面实施切削加工，形成第一槽部102c。再此，第一槽部102c贯通绝缘树脂层，使支承基板102露出。

工序b：在与第一面相反一侧的第二面上形成在与第一槽部102c相对应的位置处具有开口部的阻挡剂图案，从第二面的一侧向所述开口部实施蚀刻加工，在第二面一侧形成第二槽部102d。

作为切削加工，可以采用例如利用划片机的切削加工。关于利用划片机的切削加工，可使作为钻石制圆形刀片的划片刀高速旋转，在利用纯净水进行冷却/切屑冲洗的同时进行切削。作为其他方法，也可以采用利用模具的冲压加工。不论是哪一种，都优选在工序a中进行机械加工。由此，可以将作为不同的部件的绝缘树脂层和支承基板102一并进行切削加工。

作为蚀刻加工，可以实施使用了能够蚀刻支承基板的部件的药液的湿法蚀刻处理，或使用了蚀刻气体的干法蚀刻处理。从蚀刻速度的角度来看，优选湿法蚀刻。通过利用蚀刻加工，能够将支承基板的一面一并处理。

如上所述，根据本实施方式，当将由不同的部件构成的半导体封装件进行单片化时，可以将机械加工和化学加工组合来进行单片化，从而提高生产率，降低制造成本。即，通过机械加工来对绝缘树脂层及支承基板的一部分进行切削加工，能够降低在进行化学加工时的切削量。进一步通过化学加工，来蚀刻支承基板的一部分，能够降低在进行机械加工时施加于装置的负荷。

通过将这两个工序组合，来对各个半导体封装件100进行单片化。工序a及工序b可采用任意顺序。在本实施方式中，对进行工序b之后进行工序a的实施方式进行说明。

首先，在进行所述工序b之前，可以从图2a的状态出发，在支承基板102的第一面102a一侧粘贴保护膜114(图2b)。由此，能够在工序b的处理期间，保护形成于支承基板102上的布线106。

保护膜114只要是对在后述的工序b所包括的蚀刻处理中所使用的药品具有耐受性的材料即可。作为这种材料，可以使用例如亚克力类干膜阻挡剂等。

接下来，进行所述工序b。即，在与第一面相反一侧的第二面上形成在多个半导体装置之间的区域具有开口部的阻挡剂图案，从第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，在第二面一侧形成第二槽部102d。

在本实施方式中，在支承基板102的第二面102b一侧利用光刻法形成阻挡剂图案116(图2c)。

以该阻挡剂图案116作为掩模，对支承基板102进行湿法蚀刻。在此，蚀刻并不是进行至到达支承基板102的第一面102a，而是形成有底的第二槽部102d(图2d)。作为第二槽部102d的深度，优选为从支承基板102的第二面102b开始到支承基板102的厚度的2/3程度的深度。在本实施方式中，支承基板102的厚度为300μm，因此，优选地，蚀刻200μm程度的厚度，而残留距第一面102a为100μm程度的厚度的支承基板102。

若有底的第二槽部102d比此更深，则蚀刻时间过长，生产率恶化。另外，在操作性方面会产生问题。若有底的第二槽部102d比此更浅，则在之后的工序a中划片刀的磨耗加速，制造成本增加。

在此，如图2d所示，在蚀刻第二面的工序中，第二槽部102d扩展至比由阻挡剂图案116露出的区域更广阔区域中。这是由于在进行蚀刻的工序中随着侧蚀(sideetching)的进行而造成的。

在蚀刻支承基板102的第二面102b一侧的工序之后，去除保护膜114及阻挡剂图案116(图2e)。

接下来，对第二绝缘树脂层110的开口部110a配置焊料球112。此外，在本实施方式中，示出了对一个开口部110a配置一个焊料球112的示例，但不限于此，也可以对一个开口部110a配置多个焊料球112。

接下来，进行上述工序a。即，在多个半导体装置之间的区域中，从第一面一侧进行切削加工，形成贯通绝缘树脂层并使支承基板露出的第一槽部102c。

在本实施方式中，在通过湿法蚀刻切削支承基板102的第二面102b的工序(工序b)之后，且在所述工序a之前，在支承基板102的第二面102b一侧设置支承部件。在本实施方式中，作为支承部件，使用划片带118并粘贴在第二面102b一侧(图2f)。

借助于所述工序b，在支承基板102上形成有底的第二槽部102d，因此在图2e的状态下机械强度下降。于是，如本实施方式所示，通过设置支承部件，在切削处理期间稳定地固定支承基板102。

在这种状态下，利用划片机同时切削绝缘树脂层及支承基板102的一部分。在此，使划片刀高速旋转，在利用纯净水进行冷却/切屑冲洗的同时进行切削。由此，针对各个半导体封装件100进行单片化(图2g)。通过以上工序，能够获得如图1所示的半导体封装件100。

以上，对本实施方式的半导体封装件100的制造方法进行了说明。根据本实施方式的半导体封装件100的制造方法，不使用以往所使用的基于激光划片的加工，而是通过将基于湿法蚀刻的处理和基于划片机的处理组合，来进行单片化。由此，尤其在小型的半导体封装件的制造中，有望获得提高加工速度、并降低成本的效果。另外，尤其在支承基板102为金属基板的情况下，能够抑制作为现有问题的切削面的金属毛刺的发生，可提供高质量的半导体封装件。

在此，若考虑例如仅利用湿法蚀刻来进行单片化的情况，则需要与绝缘树脂层及支承基板102各自对应的蚀刻处理。由此，需要将支承基板102一并进行蚀刻加工，因此存在处理速度下降的担忧。尤其是，由于需要用于各个蚀刻处理的药液，因此制造成本增加。

另一方面，在例如通过使用划片机将绝缘树脂层及支承基板102一并裁切从而进行单片化的情况下，由于作为现有问题的金属毛刺等的发生，因此存在半导体封装件的成品率下降的担忧。尤其由于将支承基板一并裁切的处理，划片刀的磨耗加速，因此制造成本增加。

根据本实施方式，通过将利用湿法蚀刻的处理和利用划片机的处理组合来进行单片化，因此，不会产生上述的问题，能够降低制造成本，并能够提高加工速度。

<变形例1>

如图2h所示，作为本实施方式的半导体封装件100的制造方法的变形例，代替在图2f中示出的划片带118地，可以使用划片夹具120。在划片夹具中，在与要被单片化的半导体封装件100各个相对应的位置，设置有吸附孔120c。也可以经由该吸附孔120c通过抽真空来固定支承基板102，而进行工序(a)。

<第二实施方式>

[半导体封装件200的制造方法]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件200的制造方法进行说明。此外，本实施方式的半导体封装件200的结构与第一实施方式的半导体封装件100的结构相同，因此省略其说明。

图3a至图3d为用于说明本实施方式的半导体封装件200的制造方法的剖视图。

本实施方式的半导体封装件200的制造方法与第一实施方式的半导体封装件100的制造方法相比，其不同点仅在于单片化的工序中所述工序a和工序b的顺序。即，在本实施方式中，在进行工序a之后，进行工序b。

图3a为在半导体封装件200的制造方法中，进行了直至焊料球112的形成为止的状态的剖视图。在到此为止的工序中，针对图2a的状态，根据所述工序在第二绝缘树脂层110上形成焊料球112即可。

接下来，进行上述工序a。即，在多个半导体装置之间的区域中，从第一面一侧进行切削加工，形成贯通绝缘树脂层并使支承基板露出的第一槽部102c。在此，同时切削绝缘树脂层及支承基板102的一部分。

在此，切削并不是进行直到支承基板102的第二面102b，而是形成有底的第一槽部102c。作为第一槽部102c的深度，优选为从支承基板102的第一面102a至支承基板102的厚度的1/3程度的深度。在本实施方式中，支承基板102的厚度为300μm，因此，优选地，切削100μm程度的厚度，而残留距第二面102b为200μm程度的厚度的支承基板102。

若有底的第一槽部102c比此更浅，则在之后的工序b中蚀刻时间延长，生产率恶化。另外，在操作性方面会产生问题。若有底的第一槽部102c比此更深，则划片刀的磨耗加速，制造成本增加。

接下来，可进行上述工序b，但是在此之前也可以在支承基板102的第一面102a一侧粘贴保护膜114(图3b)。由此，能够在进行工序b的期间，保护形成于支承基板102上的布线106。

接下来，进行上述工序b。即，在与第一面相反一侧的第二面上形成在与第一槽部102c相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，并从第二面一侧对开口部实施蚀刻加工，在第二面一侧形成第二槽部102d。

在本实施方式中，与第一实施方式同样地，也在支承基板102的第二面102b一侧利用光刻法形成阻挡剂图案116(图3c)。

将所述阻挡剂图案116作为掩模，对支承基板102进行蚀刻。在此，到达支承基板102的第一面102a的一侧的、通过工序a形成的第一槽部102c为止进行蚀刻，由此针对各个半导体封装件200进行单片化(图3d)。通过以上工序，能够获得具有与在图1中示出的半导体封装件100同样结构的半导体封装件200。

以上，对本实施方式的半导体封装件200的制造方法进行了说明。根据本实施方式的半导体封装件200的制造方法，不是使用以往所使用的基于激光划片的加工，而是将使用湿法蚀刻的处理和使用划片机的处理结合来进行单片化。由此，尤其在小型的半导体封装件的制造中，有望获得提高加工速度、降低成本的效果。另外，尤其在支承基板102为金属基板的情况下，能够抑制作为现有问题的切削面的金属毛刺的产生，可提供高质量的半导体封装件。

在此，若考虑例如仅利用湿法蚀刻来进行单片化的情况，则需要与绝缘树脂层及支承基板102各个对应的蚀刻处理。由此，需要将支承基板102一并蚀刻，因此存在处理速度下降的担忧。尤其是，需要用于各个蚀刻处理的药液，因此制造成本增加。

另一方面，在例如通过使用划片机将绝缘树脂层和支承基板102一并裁切而进行单片化的情况下，由于作为现有问题的金属毛刺等的产生，存在半导体封装件的成品率下降的担忧。尤其是，由于将支承基板一并裁切的处理，划片刀的磨耗加速，因此制造成本增加。

根据本实施方式，将使用湿法蚀刻的处理和使用划片机的处理组合来进行单片化，因此不会产生上述的问题，能够降低制造成本，并提高加工速度。

<第三实施方式>

[半导体封装件300的制造方法]

参照附图，对本实施方式的半导体封装件300的制造方法进行说明。此外，本实施方式的半导体封装件300的结构与第一实施方式的半导体封装件100相同，因此省略其说明。

图4a至图4e为用于说明本实施方式的半导体封装件300的制造方法的剖视图。

在本实施方式中，首先，在隔开间隔而配置于支承基板的第一面一侧的多个半导体装置之间的区域中，在与第一面相反一侧的第二面上形成有底的第二槽部。

在本实施方式中，在支承基板102的第二面102b一侧，利用光刻法形成阻挡剂图案116，并将所述阻挡剂图案116作为掩模对支承基板102进行湿法蚀刻。在此，蚀刻并不是进行直到支承基板102的第一面102a，而是形成有底的第二槽部102d(图4a)。作为第二槽部102d的深度，优选为从支承基板102的第二面102b至支承基板102的厚度的2/3程度的深度。在本实施方式中，支承基板102的厚度为300μm，因此优选地，蚀刻200μm程度的厚度，而残留距第一面102a为100μm程度的厚度的支承基板102。

若有底的第二槽部102d比此更深，则蚀刻时间延长，生产率恶化。另外，在操作性方面会产生问题。若有底的第二槽部102d比此更浅，则在之后的工序a中，划片刀的磨耗加速，制造成本增加。

在此，当形成第二槽部102d时，不限于蚀刻处理，也可以利用划片刀来进行切削。

在蚀刻支承基板102的第二面102b一侧的工序之后，去除阻挡剂图案116(图4b)。

接下来，进行如下的工序：从图4b的状态开始，直至在支承基板102的第二面102b一侧形成半导体装置104、布线106、绝缘树脂层及焊料球112(图4c)。这些工序使用前述的工序即可。

接下来，进行上述工序a。即，从第一面一侧进行切削加工，形成贯通绝缘树脂层，使支承基板露出的第一槽部102c。

在本实施方式中，在蚀刻支承基板102的第二面102b的工序(工序b)之后，且在上述工序a之前，在支承基板102的第二面102b一侧设置支承部件。在本实施方式中，作为支承部件，使用划片带118并粘贴在第二面102b一侧(图4d)。

根据前述工序，在支承基板102上形成有有底的第二槽部102d，因此在图4c的状态下机械强度下降。于是，如本实施方式，通过设置支承部件，能够在切削处理期间稳定地固定支承基板102。

在这种状态下，利用划片刀同时切削绝缘树脂层及支承基板102的残留部。在此，通过如下的工序来进行：使划片刀高速旋转，在利用纯净水进行冷却/切屑冲洗的同时进行裁切。由此，针对各个半导体封装件300进行单片化(图4e)。根据以上工序，能够获得具有与在图1中示出的半导体封装件100同样结构的半导体封装件300。

以上，对本实施方式的半导体封装件300的制造方法进行了说明。根据本实施方式的半导体封装件300的制造方法，不是使用以往所使用的基于激光划片的加工来进行单片化，而是将使用湿法蚀刻的处理和使用划片机的处理组合来进行单片化。由此，尤其在小型的半导体封装件的制造中，有望获得加工速度提高、成本下降的效果。另外，尤其在支承基板102为金属基板的情况下，能够抑制作为现有问题的切削面的金属毛刺的产生，可提供高质量的半导体封装件。

在此，若考虑例如仅利用湿法蚀刻来进行单片化的情况，则需要与绝缘树脂层及支承基板102各个相对应的蚀刻处理。由此，需要将支承基板102一并蚀刻的处理，因此存在处理速度下降的担忧。此外，需要用于各个蚀刻处理的药液，因此制造成本增加。

另一方面，在例如通过使用划片机来将绝缘树脂层及支承基板102一并裁切从而进行单片化的情况下，由于作为现有问题的金属毛刺等的发生，因此存在半导体封装件的成品率下降的担忧。尤其是，由于将支承基板一并裁切的处理，划片刀的磨耗加速，因此制造成本增加。

根据本实施方式，通过将使用湿法蚀刻的处理和使用划片机的处理组合来进行单片化，因此不会产生所述多种问题，能够降低制造成本，并提高加工速度。

<变形例2>

如图4f所示，作为本实施方式的半导体封装件300的制造方法的变形例，代替在图4d中示出的划片带118地，也可以使用划片夹具120。在划片夹具中，在与要被单片化的半导体封装件300的各个相对应的位置设置有吸附孔120c。也可以通过所述吸附孔120c抽真空来固定支承基板102，来进行工序a。

以上，对根据本发明的优选实施方式的半导体封装件及半导体封装件的制造方法进行了说明。但是，这些只是示例，本发明的技术范围不限于此。实际上，只要是本发明所属领域的普通技术人员，就能够在本发明的权利要求的范围中不脱离本发明的要旨，进行多种变更。由此，应理解为这些变更也应该属于本发明的技术范围内。