一种OLED显示面板、制作方法及含有其的电子设备与流程

本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种OLED显示面板、制作方法及含有其的电子设备。

背景技术：

随着信息化时代的来临，常规阴极射线管(CRT)显示器已经被平板显示器取代，目前使用的最多的平板显示器之一为液晶显示器(LCD)，LCD具有技术发展成熟且价格便宜的特点，但是由于LCD并不能自发光，因此在对比度、视角、可弯曲显示和功耗等方面存在技术局限。有机发光二极管(OLED)具有自发光、广视角、反应时间短、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与可挠曲的显示器的特性，因此备受关注。

现有的一种OLED显示面板(如图1)，主要包括基板(未示出)、形成于基板上的发光单元由透明的阳极7，金属或合金组成的阴极1及夹在阳极7和阴极1之间的一系列有机薄层组成，有机薄层一般按照功能划分，从阳极一侧开始一般包括空穴注入层(HIL)6、空穴传输层(HTL)5、发光层(EML)4、电子传输层(ETL)3、电子注入层(EIL)2，根据需求一些装置还包括空穴阻挡层(HBL)和电子阻挡层(EBL)等。

但是现有的OLED显示面板存在部分空穴横向流动至相邻像素，造成相邻像素发光的情况，横向漏流严重；此外，提高OLED显示面板中的空穴和电子传输平衡性能，从而提高OLED面板的发光效率，并降低OLED面板的功耗也是业内亟待解决的问题。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种OLED显示面板，包括相对设置的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和第二电极之间的叠层，所述叠层至少包括从第一电极开始顺序设置的第一辅助发光层和发光层；

所述第一辅助发光层的组成材料包含主体材料和客体材料，其中所述客体材料中包括具有式(I)所示的结构：

其中，n为≥1的整数，X₁、X₂和X_n+2的均各自独立地具有结构；R’选自取代的芳香基、取代的杂芳基中的任意1种，所述取代的芳香基和所述取代的杂芳基中的取代基至少包括一种电子受体基团。

本发明的目的之二是提供一种OLED显示面板的制作方法，所述方法包括：

在包括多种不同发光颜色的像素区域的基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成第一辅助发光层，所述第一辅助发光层包括主体材料和客体材料，所述客体材料中包括具有式(I)所示的结构：

其中，n为≥1的整数，X₁、X₂和X_n+2的均各自独立地具有结构；R’选自取代的芳香基、取代的杂芳基中的任意1种，所述取代的芳香基和所述取代的杂芳基中的取代基至少包括一种电子受体基团；

在所述第一辅助发光层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二电极。

本发明的目的之三是提供一种电子设备，包括目的之一所述的OLED显示面板。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明选用主客体掺杂的形式，在主体材料中掺杂轴烯化合物(具有式I结构的化合物)，利用轴烯化合物较强的空穴注入能力，提高空穴的注入速度，在较低的电压下既可以使空穴和电子迁移至发光层结合发光，降低了器件的电压，从而降低了OLED面板的功耗；此外，相较于现有技术的的OLED器件，本发明的空穴和电子的注入与传输更为平衡，提高了空穴与电子结合后的载流子的数量，进而提高了发光效率；而本发明提供的主客体掺杂形式，降低了辅助发光层中轴烯化合物的含量，使得空穴的分布密度降低，空穴产生后能够迅速与电子在发光层结合发光，降低了空穴在相邻像素区域的发光层与电子结合发光的概率，进而减少了横向漏流现象。

附图说明

图1是现有的OLED显示装置的结构示意图；

图2是本发明具体实施方式提供的一种OLED显示面板的剖面结构示意图；

图3是本发明具体实施方式提供的一种OLED显示面板的剖面结构示意图；

图4是OLED的工作原理示意图；

图5为本发明具体实施方式提供的一种有机发光显示面板的制作方法；

图6为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图7是本发明性能测试时各实施例和对比例中OLED显示面板的剖面结构示意图。

具体实施方式

为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。

在一个具体实施方式中，本发明提供了一种OLED显示面板，参见图2，包括基板100，以及设置于基板100之上的相对设置的第一电极101和第二电极102。其中第一电极101和第二电极102之间设置有发光层103和第一辅助发光层104，所述第一辅助发光层104设置于发光层103和第一电极101之间。第一辅助发光层104至少包括第一空穴型辅助发光层。第一空穴型辅助发光层包括主体材料和客体材料，其中所述客体材料中包括具有式(I)所示的结构：

其中，n为≥1的整数，X₁、X₂和X_n+2的均各自独立地具有结构；R’选自取代的芳香基、取代的杂芳基中的任意1种，所述取代的芳香基和所述取代的杂芳基中的取代基至少包括一种电子受体基团。

轴烯化合物能够作为改变半导体基质材料的电性能而掺杂有机半导体的有机掺杂剂，作为阻断剂材料和电荷注入层以及作为电极材料，同时还涉及其中使用了所述轴烯化合物的半导体材料以及电子元件，可以帮助低功函数的阳极有效的注入空穴。本发明提供的具有式(I)结构的化合物LUMO能级，同时其中连接有电子受体基团，其能够吸收电子，从而留下较多空穴，将其与主体材料掺杂，作为空穴辅助发光层，能够提高空穴的注入能力，降低驱动电压，从而降低OLED面板的功耗，并提高发光效率。

本发明提供的第一空穴辅助发光层将轴烯化合物以客体材料的形式掺杂在主体材料中，首先因为轴烯化合物吸电子能力较强，产生较多空穴，具有较强的空穴注入能力，从而提高了器件的空穴注入能力，不需要高启动电压即可以实现OLED器件的启动；相较于未掺杂轴烯化合物的器件，由于本发明提供的掺杂了轴烯化合物的器件在一定程度上增加了与电子的结合，从而具有更为平衡的空穴和电子的注入与传输性能，提高了器件的发光效率；另一方面，主客体掺杂的形式加入轴烯化合物，客观上降低了轴烯化合物在第一空穴型辅助发光层中的分布浓度，使得其产生的空穴能够快速的与电子结合，而不会造成空穴向相邻像素区域迁移，可以避免漏流。

需要说明的是，第一辅助发光层104可以具有多层结构，除第一空穴型辅助发光层起到空穴注入缓冲作用之外，还可以包括空穴注入层及空穴传输层。第一空穴型辅助发光层在一个图2所示实施方式中可以理解为空穴注入缓冲层。但本申请不以此为限，本领域内技术人员应该理解，本申请的第一空穴型辅助发光层可以是OLED面板中的空穴注入缓冲层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或几层，相应的包含本申请化学式(I)的主客体掺杂结构也可以存在于本申请的第一辅助发光层104的一个或多个子层当中，具体可以根据OLED面板的设计进行选择，本申请对此不做限定。

在又一个具体实施方式中，参见图3，OLED显示面板示例性的具有图3的结构，包括基板200，设置于基板200之上的第一电极201，顺序叠层于第一电极201之上的第一辅助发光层204、发光层203、第二辅助发光层205和第二电极202。发光层203远离第一辅助发光层204一侧设置的第二辅助发光层205，起到电子注入和/或电子传输的作用。第二辅助发光层205可以具有多层结构，可以包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层。第二辅助发光层205中的电子注入层示例性的包括氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li₂O)、氧化钡(BaO)等，第二辅助发光层205中的电子传输层示例性的包括二(8-羟基喹啉)联苯氧基铝、二(8-羟基喹啉)苯氧基铝、二(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基铝、二(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基铝、二(2-(2-羟基苯基)喹啉)锌、10-菲咯啉(BCP)、2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪、及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑等。

有机发光显示面板的第一辅助发光层、发光层及第二辅助发光层一般都会通过蒸镀方式形成，还可以通过溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法获得。由于电子和空穴分别从第一电极和第二电极注入到有机发光显示面板的发光材料层，并且当其中注入的电子和空穴复合的激子从激发态跃迁到基态时，有机发光显示面板发光。图4给出了OLED的工作原理示意图，本发明给出的图2或图3的结构的OLED器件能够形成图4所示的如阶梯形式的能阶状态，使分别从阳极和阴极所提供的空穴和电子，更容易传输至发光层，结合后放出光子。在本发明图2或图3的实现方式中，阳极ITO的功函数为4.5～4.8eV，经氧电浆或紫外光臭氧处理后，可升高接近5eV，但仍比大部分空穴传输材料低0.4eV的HOMO能阶。在ITO和发光层的能阶之间加入一层空穴注入材料，不仅有利于增加界面间的电荷注入，还能改进器件的效率和寿命。

在一个具体实施方式中，所述第一辅助发光层为P型材料掺杂的空穴型功能层。

在又一个具体实施方式中，所述第一辅助发光层中，具有式(I)所示的结构的化合物所占的体积百分比≤10％。在主体材料中，具有式(I)结构的化合物的掺杂量过高(如高于10％)，造成空穴产生速率快，一方面如果电子的产生速率远远不如空穴产生速率快，则造成空穴横向迁移至相邻像素区域的概率变大，迁移至相邻像素区域的这部分空穴会与这一像素区域的电子在发光层结合，造成发光，引起漏流现象；另一方面，过快的空穴产生速率没有电子产生速率的配合，造成第一辅助发光层中空穴密度较大，空穴碰撞概率增加，造成淬灭，进而降低器件的效率。

在又一个具体实施方式中，所述第一辅助发光层的厚度≤例如等。低于厚度的第一辅助发光层，能够减少空穴的传输长度，使产生的空穴更快的到达发光层，与电子结合并发光，降低了第一辅助发光层中空穴在不同像素区域间的横向运动时间，降低不同发光像素间的串扰。

在一个具体实施方式中，本发明所述电子受体基团选自氰基、氟、三氟甲基、氯和溴中的任意1种或至少2种的组合。所述电子受体基团吸电子能力强，空穴生成能力强，空穴注入能力强，相同的掺杂量能够产生更多的空穴数量，因此选择具有吸电子能力较强的电子受体基团能够降低掺杂材料的使用量；另一方面，选择具有吸电子能力较强的电子受体基团提高了空穴注入能力，能够降低器件的启动电压与功耗。

示例性地，本发明所述取代的芳香基可以包括取代的苯基、取代的联苯基、取代的萘基、取代的甲基苯基、取代的乙基苯基等。

作为典型但非限制性的实例，本发明所述取代的芳香基包括

示例性地，本发明所述取代的杂芳基可以包括取代的吡啶基、取代的呋喃基、取代的吡咯基、取代的噻吩基、取代的噻唑基、取代的吡喃基等。

作为典型但非限制性的实例，本发明所述取代的杂芳基包括

在一个具体实施方式中，所述客体材料包括所述材料具有较强的吸电子能力，空穴产生能力强，空穴注入能力提高，将其掺杂在主体材料中，能够提高空穴的生成量，降低材料的掺杂量；使用所述客体材料，由于其吸电子基团比较多，且吸电子能力强，空穴更容易生成，因此相较于未掺杂所述客体材料的器件，其能够降低启动电压，从而降低OLED面板功耗。

在一个具体实施方式中，所述主体材料具有式(II)所示的结构：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈均各自独立地选自氢原子、C1～C6的取代或未取代的烃基、C5～15的取代或未取代的芳香基中的任意1种或至少2种的组合；

R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自独立地选自芳香性基团。

其中，取代或未取代的C1～C6的烷基示例性的包括甲基、乙基、丙基、正丁基、异丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、2-甲基戊基等。

其中，取代或未取代的C5～C15芳香基示例性的包括苯基、甲苯基、乙苯基、二甲苯基、二联苯基、萘基、蒽基等。

具有式(II)所示结构的化合物具有较多的共轭结构，性能稳定，同时氮原子连接有3个共轭体系(R₉、R₁₀和联苯)，在氮原子吸电子的作用下，电子云向氮原子靠拢，造成较多的空穴，且空穴在大π键的作用下，能够较快移动，起到空穴传输的作用，且空穴传输速率快，客体材料产生的空穴能够在主体材料(式(II)所示结构的化合物)中迅速传输，一方面提高了空穴在第一辅助发光层中的运动速率，减少了传输时间，使得空穴能够和电子在发光层中快速结合发光，从而获得了更为平衡的空穴和电子的注入与传输性能，提高了器件的发光效率；另一方面，第一辅助发光层中空穴的快速传输降低了第一辅助发光层中空穴的分布密度，降低了空穴在相邻像素区域出现的概率，进而减少了空穴在发光层的相邻像素与电子结合的概率，减少了横向漏流。

在一个具体实施方式中，所述R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的稠环基团或取代或未取代的杂环芳基。

在一个具体实施方式中，所述R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自独立地选自中的任意1种或至少2种的组合。

基团本身属于共轭结构，且属于刚性材料，其分子热稳定性好，具有所述基团的主体材料，提高了器件的稳定性。

在一个具体实施方式中，所述叠层还包括设置于发光层和阴极之间的第二辅助发光层，所述第二辅助发光层的形成材料至少包括第一电子型材料，所述第一电子型材料至少包含第一基团；所述第一基团为至少含有三个连续苯环的共轭结构，至少有一个所述三个连续苯环上的碳原子被氮原子取代，且所述第一基团为轴对称结构。可选地，所述第一基团包括：

电子注入和/或传输材料的使用能有效地降低驱动电压与功耗，并显著提高器件发光效率，但这些材料的最佳厚度通常要小于1.0nm，蒸镀时不宜控制；而将电子传输层材料与电子注入材料(Liq等)掺杂使用能够利于蒸镀工艺，但是制作的器件的驱动电压还是偏高，具体可参见本申请表1中实施例7，采用Liq掺杂ETL，得到的器件的启动电压普遍高于采用第一电子型材料掺杂金属元素的启动电压0.5V左右。

本发明选用具有电子传输性能的具有第一电子型材料，起到电子传输的作用，增加了电子传输的速率，降低了电阻，降低启动电压；使得发光层中电子和空穴的数量得以匹配，提高了器件的发光效率。

在一个具体实施方式中，本发明所述第二辅助发光层中掺杂有N型掺杂材料。可选地，所述N型掺杂材料为第Ⅱ主族元素离子、第Ⅲ主族元素离子或稀土元素离子。进一步可选地，所述N型掺杂材料为镱。在一个具体实施方式中，所述第二辅助发光层中，N型掺杂材料的掺杂体积百分比范围为1％～5％，例如2％、3％、4％等。

第Ⅱ主族元素离子、第Ⅲ主族元素离子或稀土元素离子外层电子活跃，容易与具有第一基团的电子型材料结合，基于第一电子型材料的大π键，电子注入能力强，且具有较高的电子传输速率。镱的原子半径较大，对外层电子吸引力弱，外层电子容易分布在第一电子型材料的大π键，从而提高电子的传输速率；而较高的电子传输速率使电子能够快速传输至发光层，与第一辅助发光层中的空穴在发光层中结合发光；另一方面，N型掺杂材料的量决定了电子注入数量，在空穴充足的情况下，电子注入数量的增加能够提高载流子的数量，提高器件的发光效率；第三，N型掺杂材料的掺杂能够提高电子注入数量，提高电子注入速率，降低器件电压。

本领域内技术人员应该理解，本申请的第二辅助发光层可以是OLED面板中的电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等功能膜层中的一层或几层，具体可以根据OLED面板的设计进行选择，本申请对此不做限定。

本发明第一电极示例性的可以选择ITO电极；本发明第二电极示例性的可以选择镁、铝、银中的任意1种或至少2种的组合。

在一个具体实施方式中，发光层包括蓝光发光单元、绿光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和白光发光单元中的任意1种或至少2种的组合。本发明实施例中的发光层可以包括主体材料(host)以及客体掺杂材料(dopant)。本领域内技术人员应该理解，发光层中主体材料的含量大于客体掺杂材料，一般的，主体材料HOMO能级绝对值|T_host(HOMO)|大于客体掺杂材料的HOMO能级绝对值|T_dopant(HOMO)|，主体材料LUMO能级绝对值|T_host(LUMO)|小于客体掺杂材料的LUMO能级绝对值|T_dopant(LUMO)|，主体材料三线态能级T_host(S)大于客体掺杂材料三线态能级T_dopant(S)。主体材料的三线态激子能量可有效地转移给客体掺杂材料，并且主体材料的发射光谱和客体掺杂材料的吸收光谱能够能量匹配。另外，作为发光层的发光材料可以包括磷光或荧光材料，例如在一个具体实施方式中，可以采用绿光发光单元和红光发光单元的发光材料为磷光材料；蓝光发光单元的发光材料为荧光材料。本发明对发光层的材料不做限定，例如还可以采用非主客体掺杂体系材料或是采用具有热致延迟荧光(TADF，Thermally Activated Delayed Fluorescence)功能的发光材料。

在一个具体实施方式中，蓝光发光单元、绿光发光单元、红光发光单元均各自独立地选自主体材料和客体材料掺杂的方式。

所谓“均各自独立地”是指，对于蓝光发光单元、绿光发光单元、红光发光单元中，主体材料和客体材料的选择可以相同也可以不同。

在一个具体实施方式中，红光发光单元的主体材料为1种或2种；绿光发光单元的主体材料为2种或2种以上；蓝光发光单元的主体材料为1种或者2种。

可选地，本发明中的第二电极可以采用镁银合金、银金属、银镱合金和银稀土金属合金中的任意1种。根据具体产品的需求选择合适的第二电极材料，使不同颜色的发光单元的保持均衡的透过率。

基于同一构思，本发明还提供了一种OLED显示面板的制作方法。图5为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的制作方法，所述方法包括：

步骤S110、在包括多种不同发光颜色的像素区域的基板上形成第一电极。

在基板上沉积第一电极。第一电极可以包括由银或镁或镁银合金等构成的反射电极，也可以包括具有高功函数的透明导电电极，便于空穴的注入例如可以是铟锡氧化物或铟锌氧化物。

需要说明的是，可选的，在形成第一电极后，还可以形成像素限定层，其中像素限定层包括多个开口结构，每一开口结构对应一像素区域。

亦或者，在形成第一电极之前，形成像素限定层其中像素限定层包括多个开口结构，然后在每个开口结构内形成第一电极。像素限定层可以防止后续形成的发光材料层的混色现象。

步骤S120、在所述第一电极上形成第一辅助发光层，所述第一辅助发光层包括主体材料和客体材料，所述客体材料中包括具有式(I)所示的结构：

其中，n为≥1的整数，X₁、X₂和X_n+2的均各自独立地具有结构；R’选自取代的芳香基、取代的杂芳基中的任意1种，所述取代的芳香基和所述取代的杂芳基中的取代基至少包括一种电子受体基团。示例性的，所述电子受体基团选自氰基、氟、三氟甲基、氯和溴中的任意1种或至少2种的组合。示例性的，所述客体材料包括所述主体材料具有式(II)所示的结构：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈均各自独立地选自氢原子、C1～C6的取代或未取代的烃基、C5～15的取代或未取代的芳香基中的任意1种或至少2种的组合；R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自独立地选自芳香性基团。所述R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自独立地可以选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的稠环基团或取代或未取代的杂环芳基，示例性的如中的任意1种或至少2种的组合。

在第一电极上沉积一层第一辅助发光层。第一辅助发光层例如可以包括空穴注入缓冲层、空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层。示例性的，每一像素区域的空穴注入缓冲层的厚度小于或等于每一像素区域的空穴注入层小于或等于每一像素区域的空穴传输层小于或等于

步骤S130、在所述第一辅助发光层上形成发光层。

在第一辅助发光层上沉积发光层。对于不同发光颜色的像素区域，可以分别采用掩膜版依次进行发光层的沉积。示例性的，所述不同发光颜色的像素区域包括蓝色发光颜色像素区域、绿色发光颜色像素区域和红色发光颜色像素区域。

可选的，不同发光颜色像素区域的发光层的厚度可以相同，也可以不同，具体需要结合实际工艺要求，各不同发光颜色像素区域的结构，发光层特性，以及各像素区域的空穴与电子之间的传输平衡等因素综合进行考虑。

步骤S140、在所述发光层上形成第二电极。

在发光层上沉积第二电极。示例性的，第二电极可以选用低功函数的导电材料，利于电子的注入。

当第一电极和第二电极均为多个平行排列的条状电极，且相互交叉设置时，该结构适用于无源式有机发光显示面板。当第一电极为多个矩阵排列的块状电极，第二电极为面状电极，即所有像素区域共用一个第二电极时，该结构适用于有源式有机发光显示面板。

在一个具体实施方式中，本发明所述的OLED显示面板的制作方法中，所述在所述发光层上形成第二电极包括：

在所述发光层上形成第二辅助发光层；在所述第二辅助发光层上形成所述第二电极。

在发光层上对应至少一种发光颜色的像素区域的位置沉积第二辅助发光层，且第二辅助发光层中掺杂有N型掺杂材料。通过向第二辅助发光层中掺杂N型掺杂材料增强第二辅助发光层中的电子迁移率，以平衡两种载流子在发光层中的复合。

需要说明的是，本申请的第二辅助发光层可以是OLED面板中的电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等功能膜层中的一层或几层，具体可以根据OLED面板的设计进行选择，本申请对此不做限定。

本发明具体实施方式提供的有机发光显示面板可以是顶发射、底发射型，也可以是双发射型。本发明实施例对有机发光显示面板的出光方向不做限定。若第二电极为有机发光显示装置的出光侧，则第一电极包括至少一反射电极和至少一透明导电电极。透明导电电极例如可以是铟锡氧化物ITO材料，反射电极例如可以是Ag或Ag合金材料。

在一个具体实施方式中，所述叠层的形成方法包括蒸镀、印刷、涂布旋涂和喷墨打印中的任意1种或至少2种的组合。

在一个具体实施方式中，所述第一辅助发光层中，具有式(I)所示的结构的化合物所占的体积百分比≤10％。

在一个具体实施方式中，所述第二辅助发光层中，N型掺杂材料的掺杂百分比范围为1％～5％。

本发明还提供了一种电子设备，图6为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图，如图6所示，所述电子设备包括上述任一实施例所述的OLED显示面板100。电子设备可以为手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等，本发明实施例对此不作特殊限定。

本发明还对本发明提供的多个实施例以及对比例进行了性能测试，其中测试方法为：使用IVL测试仪进行测试器件的电压和效率，IVL测试仪型号：M6100供应商：McScience；用Keithley 2365A数字纳伏表测试根据实施例以及对比例中制造的有机光电装置在不同电压下的电流，然后用电流除以发光面积得到有

表1：实施例与对比例器件的测试结果表

机光电装置的在不同电压下的电流密度。用Konicaminolta CS-2000分光辐射亮度计测试根据测试例以及对比例制作的有机光电装置在不同电压下的亮度和辐射能流密度。根据有机光电装置在不同电压下的电流密度和亮度，得到在相同电流密度下(0.1mA/cm²)的电流效率(Cd/A)和外量子效率EQE。

其中，各实施例和对比例的器件结构相同，均如图7所示，包括基板400，

表2：表1中代号与所代表物质对照表

顺序叠层于基板400上的第一电极401、空穴注入缓冲层404、空穴注入层405、空穴传输层406、发光层403、电子传输层407、第二电极402。图7中的空穴注入缓冲层404可以理解为上述各实施例中的第一电子型辅助发光层。各实施例和各对比例中基板、第一电极401、空穴注入层405、空穴传输层406、发光层403、电子注入层408、第二电极402的厚度和材料也相同。

其中，第一电极401采用氧化铟锌材料；空穴注入层405采用NPB厚度为空穴传输层406采用TAPC厚度为发光层403采用DPVPA和BCzVB共掺，DPVPA和BCzVB的体积比为5％，发光层403的厚度为电子传输层407的主体材料为掺杂材料见表1和表2，厚度为第二电极402采用Ag，厚度为实施例和对比例的区别仅在于空穴注入缓冲层404和电子传输层407的材料的选择不同，以及空穴注入缓冲层404的厚度，具体如表1和表2所示。

其中，表1为各实施例与对比例器件的测试结果表，表2为表1中各代号及其所代表物质对照表，在表1中空穴注入缓冲层的A(包括A1、A2、A3)为主体材料，B(包括B1、B2、B3)为客体材料，括号中的比值为B在A中的掺杂体积比，例如A1:B1(1％)表示B1在A1中的掺杂体积比为1％；电子传输层的主体材料为ETL，括号中的是掺杂材料的掺杂比例，例如ETL:Yb(1％)表示，Yb在ETL中的掺杂体积比为1％。

从表1和表2的实施例1和对比例2可以看出，实施例1、8、9采用具有式(I)结构的化合物B1～B3与主体材料掺杂，作为空穴注入缓冲层，提高了器件的发光效率，推测是由于具有式(I)结构的化合物具有较强的吸电子能力，产生了较多的空穴，提高了空穴注入速率，空穴能够更快的传输至发光层与电子结合发光，实现了降低电压从而降低OLED面板功耗的目的；另一方面，具有式(I)结构的化合物B1的掺杂提高了空穴的注入能力，提高了发光层中空穴和电子结合产生载流子的数量，获得了更为平衡的空穴和电子的注入与传输性能。1～10％的具有式(I)结构的B1～B3的掺杂比例(如实施例1～3)，启动电压降低，大致在3.45～3.75V，发光效率(EQE)提高，在7.64～8.11％，原因是有效提高了空穴的注入数量和传输速率，在发光层中产生了更多的载流子；实施例10的发光效率较实施例2的发光效率低0.86，实施例5的发光率较实施例4下降约0.7％，这是由于随着Yb掺杂量的增加，电子注入和传输速率提高，器件的启动电压降低，但是由于Yb作为金属原子，会造成透光率降低，对于阴极发光器件，过多的Yb会造成发光率略有下降。实施例6(ETL掺杂镁)和实施例7(ETL掺杂Liq)发光效率比实施例4(ETL掺杂镱)低，电压也略高，这是由于Mg和Liq一定程度上可以提高发光层中载流子的数量，降低器件的启动电压，提高器件的发光效率，但其原子半径小，电子注入能力不如Yb，相较于Yb掺杂的器件，效率略低，电压略高。对比例1的效率较低在7.0以下，这是因为对比例1的空穴注入缓冲层厚度过大，造成空穴的传输路径边长，需要更长的时间到达发光层，造成器件发光效率的降低。从对比例2可以看出，空穴注入缓冲层不掺杂轴烯化合物，空穴注入变少，相较于注入轴烯化合物的实施例1，其电压有明显提高，效率明显降低，这是因为空穴的注入数量变少，需要更高的电压才能够使空穴传输到发光层发光。从对比例3可以看出，轴烯化合物的掺杂量12％(超过10％)，相较于实施例3(轴烯化合物掺杂量为10％)，电压基本没有变化，发光率却略有降低，这是因为过多的轴烯化合物的掺杂量造成空穴分布密集，降低了器件的发光效率，此外由于轴烯化合物吸电子能力较强，过多的轴烯化合物掺杂量也使得OLED面板的横向漏流变得更加严重。

申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。