一种高频大电流整流器的制作方法

本公开涉及整流器领域，尤其涉及一种高频大电流整流器。

背景技术：

1、现有的电源设备中，要快速输电必须快速输送电量，输送的电流必须大，因为电流与电量成正比。然而输送的电流要求越大,对整流器中的芯片有效尺寸要求越大。

2、目前整流器中的半导体芯片的电流在50安培以下，最大尺寸停留在180密耳（长度单位，1密耳等于0.0254mm）左右，因为半导体芯片的尺寸增大的情况下，制作半导体芯片的晶圆利用率会降低，导致成本升高，风险较大。

技术实现思路

1、本公开的实施例的目的在于提供一种高频大电流整流器，用于在不增大半导体芯片尺寸的情况下，增大高频大电流整流器的输送电流。

2、为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

3、提供一种高频大电流整流器，所述高频大电流整流器包括第一电极、多个间隔设置的肖特基半导体芯片和第二电极。第一电极包括第一引脚、连接部和多个第一子电极。第一引脚沿第一方向延伸。连接部与所述第一引脚电连接，所述连接部沿第二方向延伸。每个所述第一子电极沿所述第一方向延伸，多个所述第一子电极沿第二方向依次间隔排列，多个所述第一子电极分别与所述连接部电连接；每个所述第一子电极具有沿所述第一方向依次间隔设置的多个第一触点。多个间隔设置的肖特基半导体芯片位于所述第一电极的一侧，多个所述肖特基半导体芯片与多个所述第一触点对应设置，一个所述肖特基半导体芯片的第一端与对应的所述第一触点电连接。第二电极位于所述肖特基半导体芯片远离所述第一电极的一侧。第二电极包括多个第二引脚和多个第二子电极。每个所述第二引脚沿所述第一方向延伸。每个所述第二子电极沿所述第一方向延伸，多个所述第二子电极与多个所述第二引脚对应设置，一个所述第二子电极与一个所述第二引脚电连接。多个所述第二子电极还与多个所述第一子电极对应设置，每个所述第二子电极具有沿所述第一方向依次间隔设置的多个第二触点，多个所述第二触点与多个所述肖特基半导体芯片对应设置，每个所述第二触点与对应的所述肖特基半导体芯片的第二端电连接。其中，所述第一方向和所述第二方向之间具有夹角。

4、本公开实施例提供的高频大电流整流器，包括第一电极、多个肖特基半导体芯片和第二电极。通过使第一电极包括多个第一子电极，每个第一子电极具有多个第一触点，并使第二电极包多个第二引脚和多个第二子电极，每个第二子电极具有多个第二触点，多个第二触点与多个肖特基半导体芯片对应设置，一个肖特基半导体芯片的两端分别与对应的第一触点和第二触点电连接，可以增大高频大电流整流器可以通过的电流。并且，肖特基半导体芯片的反向恢复时间较短，可以使高频大电流整流器工作在较高频率的电路中。本公开实施例中，无需增加每个肖特基半导体芯片的尺寸，因此，可以避免降低制作肖特基半导体芯片的晶圆的利用率，有利于降低生产成本。

5、在一些实施例中，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角为90°；

6、在一些实施例中，每个所述第一子电极上的所述第一触点的数量为四个，每个所述第二子电极上的所述第二触点的数量为四个；

7、在一些实施例中，所述第一子电极的数量为三个，所述第二子电极的数量为三个；

8、在一些实施例中，在所述第二方向上，相邻两个所述第一子电极之间的间距大于或等于6mm，和/或，相邻两个所述第二子电极之间的间距大于或等于6mm；

9、在一些实施例中，在所述第一方向上，相邻两个所述第一触点之间的间距大于或等于4mm，和/或，相邻两个所述第二触点之间的间距大于或等于4mm；

10、在一些实施例中，所述高频大电流整流器还包括第一焊接层和第二焊接层。第一焊接层设置所述第一触点和所述肖特基半导体芯片的第一端之间；第二焊接层设置所述第二触点和所述肖特基半导体芯片的第二端之间；

11、在一些实施例中，所述高频大电流整流器还包括封装薄膜，所述连接部、所述第一子电极、所述肖特基半导体芯片、所述第二子电极均位于所述封装薄膜内。所述第一引脚的一部分位于所述封装薄膜外，另一部分伸入所述封装薄膜内与所述连接部电连接。每个所述第二引脚的一部分位于所述封装薄膜外，另一部分伸入所述封装薄膜内与所述第二子电极电连接。

技术特征：

1.一种高频大电流整流器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高频大电流整流器，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角为90°。

3.根据权利要求1所述的高频大电流整流器，其特征在于，每个所述第一子电极上的所述第一触点的数量为四个，每个所述第二子电极上的所述第二触点的数量为四个。

4.根据权利要求3所述的高频大电流整流器，其特征在于，所述第一子电极的数量为三个，所述第二子电极的数量为三个。

5.根据权利要求1所述的高频大电流整流器，其特征在于，在所述第二方向上，相邻两个所述第一子电极之间的间距大于或等于6mm，和/或，相邻两个所述第二子电极之间的间距大于或等于6mm。

6.根据权利要求1所述的高频大电流整流器，其特征在于，在所述第一方向上，相邻两个所述第一触点之间的间距大于或等于4mm，和/或，相邻两个所述第二触点之间的间距大于或等于4mm。

7.根据权利要求1所述的高频大电流整流器，其特征在于，所述高频大电流整流器还包括：

8.根据权利要求1所述的高频大电流整流器，其特征在于，所述高频大电流整流器还包括封装薄膜，所述连接部、所述第一子电极、所述肖特基半导体芯片、所述第二子电极均位于所述封装薄膜内；

技术总结
本公开的实施例提供了一种高频大电流整流器，涉及整流器领域，用于在不增大半导体芯片的尺寸的情况下，增大高频大电流整流器的输送电流。该高频大电流整流器包括第一电极、多个间隔设置的肖特基半导体芯片和第二电极。第一电极包括第一引脚、连接部和多个第一子电极。每个第一子电极具有沿第一方向依次间隔设置的多个第一触点。一个肖特基半导体芯片的第一端与对应的第一触点电连接。第二电极包括多个第二引脚和多个第二子电极。每个第二子电极具有沿第一方向依次间隔设置的多个第二触点，多个第二触点与多个肖特基半导体芯片对应设置，每个第二触点与对应的肖特基半导体芯片的第二端电连接。上述高频大电流整流器用于整流。

技术研发人员：陈国斌
受保护的技术使用者：广东合科泰实业有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16