射频功率放大器及射频前端模组的制作方法

本技术涉及射频，更具体地，涉及一种射频功率放大器及射频前端模组。

背景技术：

1、在射频技术领域中，随着科技的发展，对射频前端模组的性能要求越来越高。功率放大器作为射频前端模组中的重要组成部分，其重要性不可言喻。目前，功率放大器通常会因承受过高的功率或电压水平而导致被击穿，因此，如何有效地保护功率放大器免受过高的电压水平影响成为目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种射频功率放大器，以解决射频功率放大器因承受过高的功率水平而导致被击穿的问题。

2、一种射频功率放大器，包括：功率放大单元；偏置电路，所述偏置电路包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端被配置为连接至偏置信号源端口，所述第一偏置晶体管的第二端连接至供电端，所述第一偏置晶体管的第三端被配置为输出偏置信号至所述功率放大单元的输入端；控制电路，所述控制电路包括第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的第一端连接至所述第一偏置晶体管的第一端，所述第二开关管的第一端连接至所述第一偏置晶体管的第三端，所述第一开关管的第二端和所述第二开关管的第二端被配置为接收控制信号，所述第一开关管的第三端和所述第二开关管的第三端分别连接至地。

3、进一步地，所述第一开关管和所述第二开关管被配置为基于所述功率放大单元传输的射频信号的功率水平导通或者关断偏置电路。

4、进一步地，当所述功率放大单元传输的射频信号的功率大于第一阈值，所述第一开关管的第二端和所述第二开关管的第二端被配置为配置为接收第一控制信号，所述第一开关管和所述第二开关管导通，所述偏置电路关断；

5、当所述功率放大单元传输的射频信号的功率小于等于第二阈值，所述第一开关管的第二端和所述第二开关管的第二端被配置为配置为接收第二控制信号，所述第一开关管和所述第二开关管关断，所述偏置电路导通。

6、进一步地，所述控制电路还包括第二电阻，所述第二电阻与所述第一开关管串联连接。

7、进一步地，所述第二电阻被配置为减小所述偏置电路在关断状态下消耗的电流。

8、进一步地，所述偏置电路还包括第二偏置晶体管，所述第二偏置晶体管的第一端连接至所述第一偏置晶体管的第三端，所述第二偏置晶体管的第二端连接至偏置电源端，所述第二偏置晶体管的第三端接地。

9、进一步地，所述偏置电路还包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的第一端与所述第二偏置晶体管的第一端连接，第二端与第一偏置晶体管的第三端连接，所述第四电阻的第一端与所述第二偏置晶体管的第二端连接，第二端与偏置信号源端口连接。

10、进一步地，所述偏置电路还包括第一电容，所述第一电容的第一端连接至所述第二偏置晶体管的第二端，所述第一电容的第二端接地。

11、进一步地，第一开关管为异质结双极型晶体管，所述第一开关管的第二端为基极，所述第一开关管的第一端为集电极，所述第一开关管的第三端为发射极；

12、第二开关管为异质结双极型晶体管，所述第二开关管的第二端为基极，所述第一开关管的第二端为集电极，所述第二开关管的第三端为发射极；

13、或者，所述第一开关管为金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一开关管的第二端为栅极，所述第一开关管的第一端为源极，所述第一开关管的第三端为漏极；

14、所述第二开关管为金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二开关管的第二端为栅极，所述第二开关管的第一端为源极，所述第二开关管的第三端为漏极。

15、进一步地，所述第一偏置晶体管为异质结双极型晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端为基极，所述第一偏置晶体管的第二端为集电极，所第一偏置晶体管的第三端为发射极，或者，所述第一偏置晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端为栅极，所述第一偏置晶体管的第二端为源极，所述第一偏置晶体管的第三端为漏极；

16、所述第二偏置晶体管为异质结双极型晶体管，所述第二偏置晶体管的第一端为基极，所述第二偏置晶体管的第二端为集电极，所第二偏置晶体管的第三端为发射极，或者，所述第二偏置晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二偏置晶体管的第一端为栅极，所述第二偏置晶体管的第二端为源极，所述第二偏置晶体管的第三端为漏极。

17、进一步地，所述射频功率放大器还包括检测电路，所述检测电路包括信号输入端、信号输出端和对数功率检测电路，所述信号输入端被配置为接收所述功率放大电路传输的射频信号，所述对数功率检测电路被配置为对所述射频信号进行转换处理，通过所述信号输出端输出控制信号至所述第一开关管的第一端和所述第二开关管的第一端。

18、进一步地，所述数功率检测电路包括第一晶体管、第二晶体管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻，第十电阻和第十一电阻，所述第一晶体管的第一端与所述第六电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端与所述第七电阻的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述第二晶体管的第二端连接，所述信号输入端连接至所述第六电阻的第二端，所述第一晶体管的第二端通过所述第八电阻连接至供电电源端，所述第二晶体管的第二端通过所述第九电阻连接至所述供电电源端，所述第一晶体管的第三端接地，所述第二晶体管的第三端接地，所述第二晶体管的第二端连接至所述信号输出端。

19、进一步地，所述检测电路还包括第一耦合单元，所述信号输入端口通过所述第一耦合单元连接至所述对数功率检测电路。

20、进一步地，所述第一耦合单元包括串联连接的耦合电容和耦合电阻。

21、进一步地，所述检测电路还包括缓冲单元，所述缓冲单元的输入端连接至所述第二晶体管的第二端，所述缓冲单元的输出端连接至所述信号输出端，所述缓冲单元被配置为放大所述第二晶体管的第二端输出的信号。

22、进一步地，所述检测电路还包括第二电容，所述第二电容的第一端连接至所述缓冲单元的输入端，所述第二电容的第二端接地。

23、进一步地，所述缓冲单元包括第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管，所述第五晶体管的第一端连接至所述缓冲单元的输入端，所述第五晶体管的第二端通过第十电阻连接至第四供电端，所述第五晶体管的第三端接地，所述第六晶体管的第一端连接至所述第五晶体管的第二端，所述第六晶体管的第二端通过第十一电阻连接至所述第四供电端，所述第六晶体管的的第三端接地，所述第七晶体管的第一端连接至所述第六晶体管的第二端，所述所述第七晶体管的第二端连接至所述缓冲单元的输出端，所述第七晶体管的第三端接地。

24、本实施例还提供一种射频前端模组，包括上述所述的射频功率放大器。

25、本实施例中，射频功率放大器包括功率放大单元；偏置电路，所述偏置电路包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端被配置为连接至偏置信号源端口，所述第一偏置晶体管的第二端连接至供电端，所述第一偏置晶体管的第三端被配置为输出偏置信号至所述功率放大单元的输入端；控制电路，所述控制电路包括第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的第一端连接至所述第一偏置晶体管的第一端，所述第二开关管的第一端连接至所述第一偏置晶体管的第三端，所述第一开关管的第二端和所述第二开关管的第二端被配置为接收控制信号，所述第一开关管的第三端和所述第二开关管的第三端分别连接至地；通过在第一开关管和第二开关管的共同作用下，从而可以实现在有效关断偏置电路的同时，还能提高功率放大单元中的放大晶体管的耐压能力，优化射频功率放大器。