技术编号：36175677
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。背景技术.在专利文献中公开了对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法，所述第一区域具有通过交替地设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜，所述第二区域具有单层的氧化硅膜。根据专利文献所记载的蚀刻方法，重复地交替执行生成包含氢氟碳化合物的第一处理气体的等离子体的工序、以及生成包含碳氟化合物的第二处理气体的等离子体的工序。.现有技术文献.专利文献.专利文献：日本特开-号公报发明内容.发明要解决的问题.本公开所涉及的技术改善蚀刻图...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。