蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

本公开涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法，所述第一区域具有通过交替地设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜，所述第二区域具有单层的氧化硅膜。根据专利文献1所记载的蚀刻方法，重复地交替执行生成包含氢氟碳化合物的第一处理气体的等离子体的工序、以及生成包含碳氟化合物的第二处理气体的等离子体的工序。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-51750号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开所涉及的技术改善蚀刻图案的形状异常。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式是使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承体提供具有含硅膜的基板；工序(b)，向所述基板支承体周期性地供给20kw以上且50kw以下、占空比(duty比)为5％以上且50％以下的偏压射频(rf)电力；以及工序(c)，通过从包含碳氟化合物气体和含氧气体的处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够改善蚀刻图案的形状异常。

技术特征：

1.一种蚀刻方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

4.一种蚀刻方法，包括以下工序：

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

8.根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，

10.根据权利要求8或9所述的蚀刻方法，其特征在于，

11.根据权利要求8～10中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的蚀刻方法，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的蚀刻方法，其特征在于，

16.根据权利要求1～15中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，

17.一种等离子体处理装置，具备：

18.根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，

19.一种等离子体处理装置，具备：

20.根据权利要求17～19中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

技术总结
一种使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，包括以下工序：工序(A)，向基板支承体提供具有含硅膜的基板；工序(B)，向所述基板支承体周期性地供给20kW以上且50kW以下、占空比(W)为5％以上且50％以下的偏压RF电力；以及工序(C)，通过从包含碳氟化合物气体和含氧气体的处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻。

技术研发人员：中川显,小松贤次,上村一真,平山司
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16