1.一种Ω型顶栅结构鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底、器件隔离、Ω型Fin沟道区、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔和Metal 0；其中，在半导体衬底上形成源区、漏区以及连接二者的Ω型Fin沟道区和器件隔离；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分Ω型Fin沟道区的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、Ω型Fin沟道区、栅电极层和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Metal 0。
2.如权利要求1所述的Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管的制备方法，其步骤包括：
A.提供一半导体衬底；
B.形成沟道区的掩膜图形，掩膜线宽用于定义Ω型Fin顶部的线宽；
B1.淀积一层介质材料作为第一掩膜层；
B2.通过光刻技术定义Ω型Fin顶部的线条宽度；
B3.利用光刻胶为掩蔽，各向异性刻蚀第一掩膜层，形成矩形Fin掩膜，矩形Fin掩膜的线宽即为Ω型Fin顶部的线条宽度；
B4.去胶；
C.形成源区、漏区、初步的Fin沟道区以及器件隔离；
C1.淀积一层介质材料作为第二掩膜层，第一掩膜层被第二掩膜层覆盖，对第二掩膜层进行平坦化；
C2.通过光刻技术定义源区和漏区；
C3.各向异性刻蚀第二掩膜层和衬底材料，刻蚀掉的衬底材料厚度即为Ω型Fin顶部的高度；
C4.去胶；
C5.淀积一层和第一掩膜层相同的介质材料并回刻，形成侧墙掩膜；
C6.各向异性刻蚀衬底材料，刻蚀掉的衬底材料厚度即为Ω型Fin下方的高度；
C7.形成器件之间的隔离；
D.形成Ω型的Fin沟道区；
D1.采用热氧化工艺削减初步的Fin沟道区，形成完整的Ω型Fin沟道区，氧化的时间决定了Ω型Fin沟道区下底线宽；
D2.去除第二掩膜层；
E.源漏注入和制备栅电极；
E1.通过离子注入技术对源漏进行重掺杂，并激活退火；
E2.去除第一掩膜层、侧墙掩膜和氧化削减形成的氧化硅；
E3.形成一层栅电极层；
E4.通过光刻技术定义栅电极的图形；
E5.以光刻胶为掩蔽，各向异性刻蚀栅电极层，形成跨过沟道区的栅线条和栅引出区，栅线条覆盖在Ω型Fin沟道区的顶部和侧壁；
E6.去胶；
F.形成各端的金属接触；
F1.淀积层间介质；
F2.通过化学机械抛光实现平坦化；
F3.通过光刻技术定义源、漏、栅各端的接触孔；
F4.各向异性刻蚀层间介质，露出栅引出区和源、漏区的上表面；
F5.去胶；
F6.在各接触孔中填充金属Metal 0；
F7.通过对金属Metal 0进行化学机械平坦化，实现器件之间的导电层分离，达到器件隔离的效果；
G.最后进入常规后端工艺，完成器件制备。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤A中所述半导体衬底，包括体硅衬底，SOI衬底，体锗衬底或GOI衬底。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤C中对于体硅衬底、体锗衬底使用阱隔离加浅槽隔离；对于SOI衬底、GOI衬底使用浅槽隔离或岛隔离。
5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤B、E中所述光刻为电子束光刻或193nm浸没式光刻。
6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤B、C、F中所述淀积为原子层淀积ALD、低压化学气相淀积LPCVD、等离子体增强化学气相淀积PECVD、电感耦合等离子体增强化学气相淀积ICPECVD或溅射。
7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤C中所述第二掩膜层2的介质材料对第一掩膜层的各项异性腐蚀速率大于5:1。
8.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤D中采用热氧化方法是干氧氧化、湿氧氧化或氢氧合成氧化。
9.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤E中退火方式采用快速热退火、尖峰退火、闪耀退火和激光退火中的一种。
10.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤E中，当衬底是硅基衬底，是栅氧化层搭配多晶硅栅形成栅电极层，此时采用干氧氧化制备栅氧化层，采用LPCVD制备多晶硅栅；或是高K栅介质搭配金属栅形成栅电极层，此时采用ALD制备高K栅介质，采用PVD制备金属栅；若衬底为锗基衬底，采用高K栅介质搭配金属栅形成栅电极层，此时采用ALD制备高K栅介质，采用PVD制备金属栅。
11.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤B、C、E和F中各向异性刻蚀采用如反应离子刻蚀RIE或电感耦合等离子体ICP。
12.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤F中所述作为导电层的填充金属Metal 0为W、Cu、Al、Ti、Pt及其复合金属叠层。
13.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤F中填充金属采用蒸发、溅射、电镀和化学气相淀积中的一种。