晶圆的加工方法及晶圆与流程

本发明涉及一种晶圆的加工方法及晶圆。

背景技术：

1、在当前对进行磨削后的晶圆进行的双面研磨中，基本上没有表面/背面的加工余量差，以消除磨削中产生的条痕的方式进行研磨。因此，算术粗糙度也基本上为0.1nm以下，晶圆正反面都容易成为平坦的面。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2000-150431号公报

5、专利文献2：日本特开平11-233462号公报

6、专利文献3：日本特开2002-25950号公报

7、专利文献4：日本特开平9-246220号公报

8、专利文献5：日本特开2013-45909号公报

9、专利文献6：日本特开2014-236147号公报

技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、如果因磨削而产生的条痕残留在晶圆的表面/背面，则晶圆会因该条痕的应力而产生翘曲。正在寻求一种双面研磨方法，其一边利用上述特性维持平坦度和纳米形貌的质量，一边自由地以不同的研磨加工余量对表面/背面进行研磨，从而能够控制晶圆表面/背面的条痕量，并使晶圆翘曲成凸或凹的形状来控制晶圆的形状。并且，作为最近的用户需求，例如相对于光刻工序中的真空销卡盘，背面粗糙时能够降低销与晶圆间的摩擦，因此期望背面粗糙化的晶圆。然而，在目前进行的双面研磨的研磨方法中，无法使加工面的算术粗糙度sa为0.2nm以上。

3、本发明为了解决上述技术问题而完成，其目的在于，提供：一种晶圆的加工方法，其能够选择性地对晶圆的背面进行粗糙化，且能够抑制晶圆因应力而翘曲；及一种晶圆，其背面充分地粗糙化，且翘曲小。

4、(二)技术方案

5、为了解决上述技术问题，在本发明中提供一种晶圆的加工方法，其特征在于，使用10000目以上的研磨石对晶圆的表面及与该表面为相反侧的背面进行平面磨削，

6、以使所述背面的加工余量为所述表面的加工余量的1/4倍以下的方式对进行平面磨削后的所述晶圆进行双面研磨。

7、如果采用这样的晶圆的加工方法，则能够选择性地对晶圆的背面进行粗糙化，且能够抑制晶圆因应力而翘曲。

8、优选地，以使所述晶圆的所述背面的在波长10μm～100μm的区域中的算术粗糙度(sa)为1nm以上，且所述晶圆的warp为10μm以下的方式进行所述双面研磨。

9、如果采用这样的加工方法，则能够获得一种晶圆，其背面具有较充分的粗糙度，并且翘曲充分小。

10、此外，在本发明中提供一种晶圆，其特征在于，具有镜面即表面及与该表面为相反侧的背面，且所述背面的在波长10μm～100μm的区域中的算术粗糙度(sa)为1nm以上，且warp为10μm以下。

11、如果是这样的晶圆，则背面充分地粗糙化，且翘曲充分小，因此在希望晶圆的背面粗糙化的用途中，能够显示优异的操作性。

12、(三)有益效果

13、如上所述，如果是本发明的晶圆的加工方法，则能够选择性地对晶圆的背面进行粗糙化，且能够抑制晶圆因应力而翘曲。

14、此外，本发明的晶圆由于背面充分地粗糙化，且翘曲充分小，因此在希望晶圆的背面粗糙化的用途中，例如对于光刻工序中的真空销夹具而言，能够显示优异的操作性。

技术特征：

1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶圆的加工方法，其特征在于，

3.一种晶圆，其特征在于，

技术总结
本发明是一种晶圆的加工方法，其特征在于，使用10000目以上的研磨石对晶圆的表面及与该表面为相反侧的背面进行平面磨削，以使所述背面的加工余量为所述表面的加工余量的1/4倍以下的方式对进行平面磨削后的所述晶圆进行双面研磨。由此，能够提供：一种晶圆的加工方法，其能够选择性地对晶圆的背面进行粗糙化，且能够抑制晶圆因应力而翘曲；及一种晶圆，其背面充分地粗糙化，且翘曲小。

技术研发人员：吉田容辉,多贺稜
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16